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无锡晶凯科技有限公司

作品数：22 被引量：5H指数：1
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信核科学技术理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 20篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇理学

主题

  • 5篇氮化镓
  • 5篇电路
  • 5篇电源
  • 5篇电源模块
  • 5篇自对准
  • 5篇金属
  • 5篇集成电路
  • 5篇功率
  • 4篇调光
  • 4篇芯片
  • 4篇节能
  • 4篇节能灯
  • 4篇开关
  • 4篇功率器件
  • 4篇硅化物
  • 3篇调光器
  • 3篇驱动芯片
  • 2篇低压驱动
  • 2篇电路设计
  • 2篇电源设计

机构

  • 22篇无锡晶凯科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇于宗光
  • 1篇胡南中
  • 1篇张宝顺
  • 1篇李海鸥
  • 1篇黄伟
  • 1篇蔡勇
  • 1篇王玮

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 4篇2010
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法
本发明公布了一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法，所述微阵列包括蓝宝石LED外延片、GaN列矩阵隔离结构、InGaN/GaN量子阱薄膜层、有源区、N型欧姆接触、P型欧姆接触、光线反射金属层、金属互连引线、以及支...
黄伟徐湘海王胜王光建万清胡南中王佩孙国伟钱媛刘华玲
一种氮化镓基隔离DC-DC电源模块
本发明公开一种氮化镓基隔离DC-DC电源模块，包括检测保护模块、功率传输转换模块、整流滤波模块、反馈补偿网络模块、PWM调制模块，其特征在于：功率传输转换模块中的功率开关管Q1、Q2采用的是eGANFET，整流滤波模块中...
孙海涛胡南中黄伟李海鸥于宗光
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一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件及其制作方法
本发明公开了一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层、欧姆接触区、带负电性F-的栅极区、栅极金属、带负电性F<...
黄伟李海鸥于宗光
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节能灯旋钮调光控制器
本实用新型提供一种节能灯旋钮调光控制器，包括带开关变阻器、可控硅控制模块，所述可控硅控制模块包括第二电容、第四电阻和二极管，所述带开关变阻器一端连接电路节点2，另一端分别通过第二电容连接双向可控硅的一个主端子，和通过第四...
王胜万清胡南中
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一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件
本实用新型公开了一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层、欧姆接触区、带负电性F-的栅极区、栅极金属、带负电性...
黄伟李海鸥于宗光
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节能灯触摸开关调光器
本发明涉及一种节能灯触摸开关调光器，其包括壳体和设置在壳体内的触摸调光电路，所述触摸调光电路包括：开关电源模块、开关输出模块、触摸输入模块及调光控制模块；所述开关电源模块为调光控制模块提供直流电源；调光控制模块的输出连接...
王胜万清胡南中
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利用双层多晶硅器件结构自对准制备微波功率器件的方法
本发明公布了一种利用双层多晶硅器件结构自对准制备微波功率器件的方法。该方法采用了深槽隔离技术与非均匀热设计，实现了多子胞结构，利用外基区复合版进行光刻，垂直刻蚀氧化硅介质层和外基极多晶硅，获得长度等比例变化的外基区窗口，...
黄伟徐湘海王胜万清胡南中
HV-LED驱动模块
本发明公开了HV-LED驱动模块，包括工频变压器、整流电路、处理器电源电路、处理器控制电路、HV-LED灯珠电源驱动电路、HV-LED灯珠；其中，工频变压器、整流电路、HV-LED灯珠电源驱动电路、HV-LED灯珠依次连...
黄伟李海鸥于宗光
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一种AC-LED日光灯
本发明公开一种AC-LED日光灯，包括电源驱动电路、AC-LED阵列和套件，所述套件包括铝基板、散热体和PC罩；所述电源驱动电路的输入端连接输入电源，输出端连接AC-LED阵列；所述AC-LED阵列包括至少两个LED芯片...
孙海涛胡南中黄伟李海鸥于宗光
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氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺
本发明公布了一种氮化镓基GaN功率集成电路制造工艺。本发明采用感应耦合等离子刻蚀技术ICP各向异性刻蚀，切断高压区域与低压区域的电流通道，实现上述区域的电隔离。利用自对准等离子刻蚀技术RIE，在金属栅Ni/Au正下面的A...
李海鸥黄伟刘召军陈万军于宗光
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