2025年1月22日
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同和电子科技有限公司
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29篇
2021
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2020
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2017
38篇
2016
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2014
45篇
2013
39篇
2012
26篇
2011
22篇
2010
24篇
2009
15篇
2008
5篇
2007
共
546
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银粉及其制造方法和导电浆料
本发明提供一种银粉和银粉的制造方法、以及使用所述银粉的导电浆料,所述银粉能够形成具有优异导电性的导电膜,不会随着时间推移发生凝聚并结块,并且保存稳定性良好。在所述银粉的表面具有烯基琥珀酸酐和/或烯基琥珀酸。
田原直树
神贺洋
文献传递
微小银粒子粉末及其制造方法以及使用该粉末的银糊料及其使用方法
本发明的目的在于提供适合于粒径均一的纳米粒子的大量生产的方法。本发明的目的还在于提供通过该方法获得的纳米粒子粉末及含该纳米粒子的分散液以及含该纳米粒子的糊料。本发明提供一种银粒子的制造方法,该方法包括下述工序:在存在由有...
金田秀治
本村公一
苅安达也
久枝穰
伊波興祐
银粉混合物及其制造方法以及导电性糊剂
课题:提供适于在具有伸缩性的构件的表面形成导电膜的银粉混合物及其制造法以及使用了该银粉混合物的导电性糊剂。解决手段:将在硝酸银水溶液中添加了铜和铝的盐的1种或2种和乙二胺四乙酸盐的溶液保持60秒以上后,添加包含L‑抗坏血...
佐佐木严太
冈野卓
茂木谦雄
斋藤悠
文献传递
软磁性粉末、软磁性粉末的热处理方法、软磁性材料、压粉磁芯和压粉磁芯的制造方法
一种软磁性粉末,其包含89.5~99.6质量%的Fe、0.2~9.0质量%的Si、0~1.0质量%的P,所述软磁性粉末的(111)面的微晶直径为95nm以上。
河内岳志
饭田悠介
井上健一
III族氮化物外延基板以及其的制造方法
本发明提供减少形成主层叠体后的翘曲、并且提高纵向耐压的III族氮化物外延基板以及其的制造方法。本发明的III族氮化物外延基板(10)的特征在于,具有:Si基板(11);与该Si基板(11)连接的初期层(14);和形成于该...
生田哲也
柴田智彦
文献传递
电子器件用外延衬底及其制造方法
一种电子器件用外延衬底及其制造方法,可以改善导电性SiC单晶衬底上的III族氮化物电子器件的纵方向耐电压。该电子器件用外延衬底包括:导电性SiC单晶衬底;形成在SiC单晶衬底上并用作绝缘层的缓冲层;以及通过在缓冲层上外延...
生田哲也
清水成
柴田智彦
坂本陵
伊藤统夫
磁性氧化铁颗粒、磁性材料及电波吸收材料
本发明提供一种磁性材料,其具有高的Hc和高的居里点,并且,可以控制它们的磁特性,且不需要稀少或者高价的原料。发现了可以解决上述问题的磁性材料,其是以通式ε-A<Sub>x</Sub>B<Sub>y</Sub>Fe<Sub...
大越慎一
樱井俊介
赖永孟纪
松本和幸
佐佐木信也
文献传递
球状银粉
本发明提供能够在较低温度下烧成的球状银粉。该由球状的银粒子构成的球状银粉在粒子内部具有空隙,在将该银粉埋入树脂后对树脂的表面进行研磨而露出的银粒子的截面的图像中,与空隙的截面的轮廓外接的长方形的面积达到最小时的长方形的长...
大迫将也
中野谷太郎
文献传递
载体芯材以及使用了其的电子照片显影用载体和电子照片用显影剂
本发明所述的载体芯材的利用注入型图像分析粒度分布计测得的钝度的体积矩平均值D[4,3]为65%以上且80%以下,ISO圆度的体积矩平均值D[4,3]为80%以上且86%以下。由此,能够抑制显影记忆和载体附着。
镰井勇人
佐佐木信也
金城优树
文献传递
p型AlGaN层及其制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件
本发明提供了一种用于提高了载流子浓度和提高了光输出的p型AlGaN层、用于制造p型AlGaN层的方法以及III族氮化物半导体发光元件。用于制造p型AlGaN层的方法的特征在于,通过多次重复第一步骤和第二步骤来形成p型Al...
大鹿嘉和
松浦哲也
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