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伟方亮有限公司

作品数：12 被引量：0H指数：0
相关机构：同和电子科技有限公司同和控股(集团)有限公司古河机械金属株式会社更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇发光
  • 5篇基板
  • 5篇光元件
  • 5篇发光元件
  • 4篇氮化
  • 3篇氮化处理
  • 3篇氮化物
  • 3篇氮化物半导体
  • 3篇导体
  • 3篇元件
  • 3篇半导体
  • 3篇GAN
  • 2篇厚膜
  • 2篇发光层
  • 1篇单晶
  • 1篇单片
  • 1篇导电类型
  • 1篇电极
  • 1篇叠层
  • 1篇镀金属

机构

  • 12篇伟方亮有限公...
  • 8篇同和电子科技...
  • 4篇三菱化学株式...
  • 4篇东北技术使者...
  • 4篇古河机械金属...
  • 4篇同和控股(集...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体基板制造方法
本发明提供一种半导体基板制造方法，本发明的第1技术方案的半导体基板制造方法，其特征在于，该半导体基板制造方法包含：准备基底基板的准备工序；在上述基底基板上叠层至少2层多重层的叠层工序，该多重层包含剥离层及半导体层；分离上...
八百隆文曹明焕
文献传递
GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件
使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮...
八百隆文曹明焕
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发光元件
1．本外观设计产品的名称：发光元件。;2．本外观设计产品的用途：用于发光二极管（LED）。;3．本外观设计产品的设计要点：形状的设计。;4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。;5．省略视图：后视图与主视图相...
曹明焕李锡雨鸟羽隆一门胁嘉幸
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GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件
使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜(厚膜)。(a)在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。(b)对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮...
八百隆文曺明焕
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发光元件
本外观设计产品是发光元件。;其用途为：用于发光二极管(LED)。;本外观设计的设计要点在于形状的设计。;立体图是最能表明设计要点的图片。;左视图与右视图对称，省略左视图。
曺明焕李锡雨鸟羽隆一门胁嘉孝
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垂直型第III 族氮化物半导体LED 芯片及其制造方法
本发明提供用于更高效地制造减少了形成在发光结构中的裂纹的高品质垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的方法。该垂直型第III族氮化物半导体LED芯片的制造方法包括：在生长基板上以生长基板与发光结构层叠体之间设置有剥离层的...
曹明焕李锡雨张弼国鸟羽隆一门胁嘉孝
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发光元件
本外观设计产品是发光元件。;其用途为：用于发光二极管(LED)。;本外观设计的设计要点在于形状的设计。;立体图是最能表明设计要点的图片。;左视图与右视图对称，省略左视图。
曺明焕李锡雨鸟羽隆一门胁嘉孝
半导体装置及其制造方法
本发明对于n型III族氮化物半导体获得良好的欧姆结合。在图1（b）中，在剥离层（21）上，依次成膜n型GaN层（11）、p型GaN层（13）、即进行生长工序。如图1（c）所示，在p型GaN层（13）的表面上面形成p侧电极...
鸟羽隆一门胁嘉孝曹明焕李锡雨张弼国
发光元件芯片及其制造方法
本发明提供一种可安全装配的发光元件芯片及其制造方法。发光元件芯片（10）在支撑部（11）上有着具备了发光层（12a）的半导体层（12）。支撑部（11）为凹状，构成此发光元件芯片（10）上的支撑基板，同时，与半导体层（12...
曹明焕李锡雨张弼国鸟羽隆一门胁嘉孝
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发光元件
本外观设计产品的名称是发光元件；其用途为：用于发光二极管(LED)。;本外观设计的设计要点在于形状的设计。;立体图是最能表明设计要点的图片。;后视图与主视图相同，省略后视图；左视图与右视图相同，省略左视图。
曺明焕李锡雨鸟羽隆一门胁嘉孝
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