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国家重点基础研究发展计划(2010CB923200)

作品数:9 被引量:23H指数:2
相关作者:张金城刘扬杨帆朱廷祥肖井华更多>>
相关机构:中山大学北京邮电大学德岛大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信理学农业科学环境科学与工程更多>>

领域

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主题

  • 13个氮化镓
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  • 7个施主
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  • 7个物理学
  • 6个稳定性

机构

  • 13个中山大学
  • 3个北京邮电大学
  • 1个北京师范大学
  • 1个中国科学院
  • 1个中国科学院研...
  • 1个德岛大学

资助

  • 17个国家重点基础...
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传媒

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  • 3个半导体技术
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  • 2个中国物理学会...
  • 2个第十五届全国...
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  • 1个内蒙古大学学...

地区

  • 10个广东省
  • 3个北京市
17 条 记 录,以下是 1-10
刘扬
供职机构:中山大学
研究主题:GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金城
供职机构:中山大学
研究主题:GAN MOSFET MI 氮化镓 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帆
供职机构:中山大学电子与信息工程学院
研究主题:MOSFET GAN 表面态 施主 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周桂林
供职机构:中山大学
研究主题:GAN SI衬底 肖特基势垒二极管 肖特基势垒 层状结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构:中山大学
研究主题:FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敖金平
供职机构:德岛大学
研究主题:GAN MOSFET 氮化镓 截止频率 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑越
供职机构:中山大学电子与信息工程学院
研究主题:GAN MOSFET 稳定性 氮化镓 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张佰君
供职机构:中山大学
研究主题:GAN 光电极 衬底 势垒 半导体发光器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱廷祥
供职机构:北京邮电大学
研究主题:无标度网络 复杂网络 自适应方法 平均场 特征值
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈震
供职机构:中山大学电子与信息工程学院
研究主题:阈值电压 栅极 MOSFET GAN 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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