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国家重点基础研究发展计划(2010CB327501)

作品数:11 被引量:18H指数:2
相关作者:陈弘马紫光江洋黎艳徐培强更多>>
相关机构:中国科学院天津中环新光科技有限公司中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

领域

  • 16个理学
  • 14个电子电信
  • 9个一般工业技术
  • 8个金属学及工艺
  • 8个电气工程
  • 7个自动化与计算...
  • 6个文化科学
  • 5个机械工程
  • 5个轻工技术与工...
  • 4个经济管理
  • 4个航空宇航科学...
  • 4个医药卫生
  • 2个化学工程
  • 2个环境科学与工...
  • 1个天文地球
  • 1个矿业工程
  • 1个动力工程及工...
  • 1个建筑科学
  • 1个交通运输工程
  • 1个农业科学

主题

  • 14个衬底
  • 13个势垒
  • 12个晶格
  • 12个半导体
  • 11个电学性能
  • 10个单芯片
  • 10个电极
  • 10个选择性刻蚀
  • 10个载流子
  • 10个砷化镓
  • 10个发光
  • 9个氮化
  • 9个GAN
  • 8个单晶
  • 8个氮化物
  • 8个氮化镓
  • 8个电池
  • 8个射线衍射
  • 7个应力
  • 6个单片

机构

  • 11个中国科学院
  • 6个中国科学院微...
  • 4个天津工业大学
  • 3个桂林电子科技...
  • 1个西南科技大学
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国汽车技术...

资助

  • 19个国家重点基础...
  • 17个国家自然科学...
  • 9个国家高技术研...
  • 6个国家科技重大...
  • 5个中国博士后科...
  • 5个北京市科技计...
  • 4个国家科技支撑...
  • 3个天津市应用基...
  • 3个广西壮族自治...
  • 3个中国航空科学...
  • 2个北京市自然科...
  • 2个博士科研启动...
  • 2个电子薄膜与集...
  • 2个天津市科技攻...
  • 1个甘肃省自然科...
  • 1个国家软科学研...
  • 1个四川省自然科...
  • 1个天津市科技计...
  • 1个天津市自然科...
  • 1个国家杰出青年...

传媒

  • 13个物理学报
  • 13个发光学报
  • 6个红外与激光工...
  • 5个科学通报
  • 5个红外与毫米波...
  • 5个2014`全...
  • 5个第十四届全国...
  • 4个真空科学与技...
  • 4个第5届海内外...
  • 4个第13届全国...
  • 4个第十一届全国...
  • 3个半导体技术
  • 3个Journa...
  • 3个湖南大学学报...
  • 3个航空兵器
  • 3个固体电子学研...
  • 2个焊接学报
  • 2个物理
  • 2个激光与光电子...
  • 2个科技开发动态

地区

  • 14个北京市
  • 3个天津市
  • 1个四川省
  • 1个广西
19 条 记 录,以下是 1-10
陈弘
供职机构:中国汽车技术研究中心
研究主题:汽车碰撞试验 汽车试验 发光二极管 多量子阱 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
江洋
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:带间跃迁 多量子阱 GAN 红外探测器 复合衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马紫光
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:带间跃迁 多量子阱 红外探测器 复合衬底 俘获
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黎艳
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:MOCVD GAN ALN缓冲层 ALN X射线衍射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈耀
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:MOCVD GAN ALN缓冲层 ALN X射线衍射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐培强
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:MOCVD GAN ALN缓冲层 ALN X射线衍射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高怀举
供职机构:天津工业大学电气工程与自动化学院
研究主题:激光 散射特性 云雾 掺铒光纤 光纤滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
温才
供职机构:西南科技大学
研究主题:太阳能电池 单晶硅片 电阻率 晶体硅 掺量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
常虎东
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 沟道 界面态密度 半导体器件 迁移率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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