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国家科技攻关计划(2003BA316A01)

作品数：2 被引量：4H指数：1
相关作者：陈宇王良臣严丽红马龙刘志强更多>>
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领域

  • 7个电子电信
  • 6个电气工程
  • 4个一般工业技术
  • 3个自动化与计算...
  • 3个理学
  • 2个化学工程
  • 2个金属学及工艺
  • 2个机械工程
  • 2个核科学技术
  • 2个文化科学

主题

  • 7个氮化镓
  • 7个欧姆接触
  • 6个倒装
  • 6个倒装结构
  • 6个电极
  • 6个有限元
  • 6个退火
  • 6个退火温度
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  • 5个压焊
  • 4个等离子体
  • 4个电流
  • 4个电流分布
  • 4个电路
  • 3个倒装焊
  • 3个导电薄膜
  • 3个导电类型
  • 3个导体
  • 3个电镀
  • 3个电极研究

机构

  • 7个中国科学院
  • 2个扬州中科半导...

资助

  • 7个国家科技攻关...
  • 6个国家高技术研...
  • 4个国家自然科学...
  • 2个广州市科技计...
  • 2个北京市科委科...
  • 1个国家重点基础...
  • 1个中国航空科学...
  • 1个中国科学院科...

传媒

  • 7个Journa...
  • 7个第十四届全国...
  • 6个光电子．激光
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  • 6个半导体光电
  • 3个红外与激光工...
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  • 3个光子学报
  • 3个液晶与显示
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  • 3个第十三届全国...
  • 3个第十五届全国...
  • 3个二〇〇六年全...
  • 2个物理学报
  • 2个电子学报
  • 2个光学学报
  • 2个发光学报
  • 2个照明工程学报
  • 2个中国科技成果
  • 2个微纳电子技术

地区

  • 7个北京市
共 7 条 记 录，以下是 1-7
陈宇
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 氮化镓 功率型LED 电极 热模拟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王良臣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 RTD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严丽红
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：I-V特性 SIO2 SINX P-GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：共振隧穿二极管 GAN 大功率 RTD 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伊晓燕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王立彬
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAN 热模拟 GAN基LED 氮化镓 功率型LED
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 GAN 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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