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模拟集成电路国家重点实验室开放基金(99JS0911DZ0104)

作品数:3 被引量:18H指数:3
相关作者:张鹤鸣戴显英林大松胡辉勇吕懿更多>>
相关机构:西安电子科技大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团公司更多>>
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地区

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10 条 记 录,以下是 1-10
张鹤鸣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴显英
供职机构:西安电子科技大学微电子学院
研究主题:应变SI 晶圆 SIGE 绝缘层 BICMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林大松
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SIGE_HBT HBT 锗化硅 反馈调节 开关电源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕懿
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何林
供职机构:中国电子科技集团公司
研究主题:SIGE_HBT 锗化硅 HBT 异质结双极晶体管 大电流密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡永贵
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:低压差 模拟集成电路 CMOS 低压差线性稳压器 基准电压源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙建诚
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:HBT SIGE_HBT CVD 锗化硅 UHV
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王伟
供职机构:西安电子科技大学通信工程学院
研究主题:反射面天线 机电耦合 电性能 SIGE 对极几何
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何林
供职机构:中国电子科技集团公司第二十四研究所
研究主题:HBT SIGE_HBT 基区渡越时间 锗化硅 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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