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国家高技术研究发展计划(2006AA03Z415)

作品数:10 被引量:21H指数:3
相关作者:王启明成步文薛春来白安琪左玉华更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
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20 条 记 录,以下是 1-10
成步文
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 锗 光电探测器 探测器 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构:华为技术有限公司
研究主题:FAST 反射面 射电望远镜 促动器 大射电望远镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛春来
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 锗 电极 填埋层 探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白安琪
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:多孔氧化铝膜 分子束外延生长 分子束外延 衬底 氧化铝膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
左玉华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 钙钛矿 锗 探测器 调谐
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
苏少坚
供职机构:华侨大学信息科学与工程学院
研究主题:分子束外延生长 锗 硅基 SN 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡迪
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:阳极氧化铝模板 多孔氧化铝模板 超薄 氧化铝膜 DNA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛海韵
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 CVD生长 UHV SI衬底 抽真空
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭剑川
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光电探测器 硅基 波段 ROF 光控相控阵雷达
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
丁武昌
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:发光 硅基 磁控溅射 掺ER 铒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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