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国家重点基础研究发展计划(Y61398)

作品数：5 被引量：3H指数：1
相关作者：唐昭焕谭开洲梁涛刘勇王斌更多>>
相关机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
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领域

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主题

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机构

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  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国电子科技...
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资助

  • 20个国家重点基础...
  • 9个模拟集成电路...
  • 7个国防基础科研...
  • 6个国家自然科学...
  • 6个模拟集成电路...
  • 4个国防科技技术...
  • 3个国防基金
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  • 3个重庆市自然科...
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  • 2个北京市教委资...
  • 2个贵州省重大科...
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  • 1个国防科技重点...
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传媒

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  • 4个半导体技术
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  • 1个光散射学报
  • 1个功能材料与器...

地区

  • 19个重庆市
  • 1个四川省
共 20 条 记 录，以下是 1-10
唐昭焕
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 功率VDMOS器件 功率MOSFET器件 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：VDMOS器件 VDMOS 半导体工艺 抗辐射加固 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁涛
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 掺杂 硅片表面 镜检 硫酸铈
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王大平
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：硅片表面 镜检 点子 等离子体刻蚀 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任芳
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体工艺 介质 制版 CMOS工艺 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李荣强
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：模拟集成电路 互补双极工艺 多晶硅发射极 BICMOS D/A转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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