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国家自然科学基金(51177175)

作品数：8 被引量：35H指数：2
相关作者：刘扬张金城杨帆何亮敖金平更多>>
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领域

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主题

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机构

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  • 1个德岛大学

资助

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传媒

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地区

  • 11个广东省
共 15 条 记 录，以下是 1-10
刘扬
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 栅极 势垒 阈值电压 FET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金城
供职机构：中山大学
研究主题：GAN MOSFET MI 氮化镓 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帆
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：MOSFET GAN 表面态 施主 2DEG
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姚尧
供职机构：中山大学
研究主题：FET器件 GAN 绝缘层 欧姆接触 势垒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周桂林
供职机构：中山大学
研究主题：GAN SI衬底 肖特基势垒二极管 肖特基势垒 层状结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈震
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：阈值电压 栅极 MOSFET GAN 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
敖金平
供职机构：德岛大学
研究主题：GAN MOSFET 氮化镓 截止频率 肖特基二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑越
供职机构：中山大学电子与信息工程学院
研究主题：GAN MOSFET 稳定性 氮化镓 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪毅强
供职机构：中山大学
研究主题：绝缘层 势垒 沟道 FET器件 氮化物半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张佰君
供职机构：中山大学
研究主题：GAN 光电极 衬底 势垒 半导体发光器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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