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国家重点基础研究发展计划(G2000-036503)

作品数：7 被引量：5H指数：2
相关作者：谭长华许铭真张贺秋毛凌锋赵要更多>>
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领域

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主题

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机构

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资助

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地区

  • 5个北京市
  • 1个江苏省
  • 1个辽宁省
共 7 条 记 录，以下是 1-7
谭长华
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 软击穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许铭真
供职机构：北京大学
研究主题：MOS器件 英文 场效应晶体管 超薄栅氧化层 MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
毛凌锋
供职机构：苏州大学
研究主题：英文 场效应晶体管 MOS结构 FN振荡电流 直接隧穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张贺秋
供职机构：大连理工大学
研究主题：脉冲激光沉积 ZNO薄膜 英文 氧化镓 欧姆接触电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵要
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子学系
研究主题：HALO结构 热载流子 V 可靠性 热载流子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡靖
供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院
研究主题：英文 热载流子效应 热载流子 V 场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍宗亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 沟道 闪存 介质层 电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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