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国家重点基础研究发展计划(G20000365)

作品数：41 被引量：98H指数：5
相关作者：林成鲁陈诺夫门传玲谢欣云杨少延更多>>
相关机构：中国科学院北京大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家攀登计划更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>

领域

  • 71个电子电信
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  • 37个自动化与计算...
  • 23个化学工程
  • 20个机械工程
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  • 7个冶金工程
  • 7个核科学技术
  • 6个生物学
  • 6个动力工程及工...
  • 6个自然科学总论

主题

  • 55个半导体
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  • 46个电路
  • 42个集成电路
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  • 36个退火
  • 35个SI
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  • 34个微电子
  • 30个氮化
  • 30个淀积
  • 27个溅射
  • 26个多晶
  • 25个电阻
  • 22个电极

机构

  • 49个中国科学院
  • 20个北京大学
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  • 2个河北理工大学
  • 2个山东大学
  • 2个浙江大学
  • 2个上海大学
  • 2个香港科技大学
  • 2个上海科学院

资助

  • 72个国家重点基础...
  • 62个国家自然科学...
  • 32个国家高技术研...
  • 12个国家教育部博...
  • 10个国家科技重大...
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传媒

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  • 11个材料导报
  • 11个微纳电子技术
  • 10个无机材料学报
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  • 8个稀有金属材料...

地区

  • 49个北京市
  • 18个上海市
  • 2个河北省
  • 1个山西省
  • 1个天津市
  • 1个广东省
共 72 条 记 录，以下是 1-10
林成鲁
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 硅 SIMOX 铁电薄膜
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陈诺夫
供职机构：华北电力大学
研究主题：太阳电池 砷化镓 衬底 磁性半导体 多晶硅薄膜
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门传玲
供职机构：上海理工大学能源与动力工程学院
研究主题：碳纳米管 超级电容器 太阳能电池 ALN薄膜 石墨烯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
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欧文
供职机构：中北大学
研究主题：热电堆 MEMS 快闪存储器 英文 红外
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志凯
供职机构：中国科学院
研究主题：低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢欣云
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI新结构 氮化硅薄膜 SOI SOI结构 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩汝琦
供职机构：北京大学
研究主题：MOS晶体管 掺杂 存储器 半导体 自对准
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林青
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI新结构 SOI SOI器件 氮化硅薄膜 自加热效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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