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国家重点基础研究发展计划(G20000366)

作品数：27 被引量：134H指数：6
相关作者：余金中陈少武樊中朝严清峰韩伟华更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
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地区

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共 23 条 记 录，以下是 1-10
余金中
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 光开关 硅基 英文 波导
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陈少武
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 波导 刻蚀 硅基 光开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严清峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 集成光学 多模干涉耦合器 光开关 电光开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
樊中朝
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：刻蚀 SOI 干法刻蚀 碳化硅 多模干涉耦合器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘敬伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 光纤耦合 光开关矩阵 光开关 SOI光波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏金松
供职机构：华中科技大学
研究主题：SOI 铌酸锂 干法刻蚀 脊形波导 集成光学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩伟华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅基 晶体管 纳米线 硅纳米线 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王章涛
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：多模干涉耦合器 SOI 光开关 多模干涉 光开关矩阵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈媛媛
供职机构：北京工商大学
研究主题：SOI 电工电子学 教学方法 硅基 光波导器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王小龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI 光开关 多模干涉耦合器 英文 SOI光波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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