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国家自然科学基金(61076097)
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刘红侠
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杨兆年
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刘红侠
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:单粒子 总剂量 抗辐照 栅氧化层 集成电路
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卓青青
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
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蔡惠民
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SOI NMOS器件 总剂量辐照效应 碰撞电离 参考源
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杨兆年
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:CMOS工艺 静电放电 箝位电路 碰撞电离 ESD
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彭里
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SOI PD_SOI NMOS器件 NMOS 总剂量辐照效应
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郝跃
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
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王志
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SOI NMOS器件 单粒子效应 单粒子 总剂量效应
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曹磊
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:隐私 势垒 SOI_MOSFET 高K栅介质 自加热效应
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供职机构:西安电子科技大学
研究主题:P-I-N MESH结构 边界值 灰度值 互连线
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李立
供职机构:西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题:SIGE 存储电荷 SIGE_HBT 异质结双极晶体管 PSPICE
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