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国家高技术研究发展计划(2002AA3Z1230)

作品数：4 被引量：8H指数：1
相关作者：钱佩信陈培毅陈长春黄文韬刘志农更多>>
相关机构：清华大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>

领域

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  • 10个理学
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  • 2个医药卫生
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  • 1个机械工程
  • 1个文化科学

主题

  • 10个双极晶体管
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  • 7个电子辐照
  • 6个低噪
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机构

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  • 1个中国科学院上...

资助

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  • 10个国家自然科学...
  • 4个中国博士后科...
  • 4个国家教育部博...
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  • 3个国家重点基础...
  • 3个“九五”国家...
  • 2个国家教育部“...
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传媒

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  • 3个稀有金属
  • 3个光谱学与光谱...
  • 3个纳米技术与精...
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地区

  • 11个北京市
  • 1个河南省
共 12 条 记 录，以下是 1-10
陈培毅
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE HBT 量子点 UHV/CVD SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱佩信
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE HBT SIGE_HBT SOI UHV/CVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈长春
供职机构：信阳师范学院物理与电子信息工程学院
研究主题：SIGE 超晶格薄膜 单片 HBT 红外加热
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄文韬
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT SIGE UHV/CVD HBT GE量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志农
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE SIGE_HBT HBT UHV/CVD 锗化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志弘
供职机构：清华大学
研究主题：双极晶体管 发射区 锗硅异质结双极晶体管 发射极 锗硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孟祥提
供职机构：清华大学核能与新能源技术研究院
研究主题：Γ射线辐照 中子辐照 成像质量 电子辐照 CMOS图像传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张伟
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE_HBT SIGE HBT 锗硅异质结双极晶体管 低噪声
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓宁
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：自旋 自组织生长 GE量子点 电流驱动 碳纳米管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王吉林
供职机构：清华大学
研究主题：SIGE_HBT HBT BJT 电子辐照 Γ射线辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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