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国家自然科学基金(60072004)

作品数：18 被引量：40H指数：4
相关作者：杨谟华于奇宁宁罗谦杜江锋更多>>
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杨谟华
供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题：电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于奇
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 模拟集成电路 模数转换器 沟道 异质结场效应晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宁宁
供职机构：电子科技大学
研究主题：模拟集成电路 模数转换器 模拟数字转换 比较器 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗谦
供职机构：电子科技大学
研究主题：肖特基接触 击穿特性 导通 HEMT器件 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杜江锋
供职机构：电子科技大学
研究主题：氮化镓 异质结场效应晶体管 肖特基接触 势垒 铝镓氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳翀
供职机构：电子科技大学
研究主题：表面态 电流崩塌 GAN 高电子迁移率晶体管 电场分布
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏建新
供职机构：电子科技大学
研究主题：GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘源
供职机构：电子科技大学
研究主题：低功耗 A/D转换器 比较器 行人检测 高速低功耗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴霜毅
供职机构：电子科技大学
研究主题：电路 模数转换器 芯片面积 低功耗 SAR_ADC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙飞
供职机构：电子科技大学
研究主题：电流崩塌 电流崩塌效应 表面态 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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