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云南省教育厅科学研究基金(2011Y114)

作品数:1 被引量:1H指数:1
相关作者:关中杰叶小松靳映霞李亮杨宇更多>>
相关机构:云南大学更多>>
发文基金:云南省教育厅科学研究基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域:理学更多>>

领域

  • 6个电子电信
  • 6个理学
  • 5个一般工业技术
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  • 2个经济管理
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  • 2个文化科学
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  • 1个天文地球
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  • 1个建筑科学
  • 1个医药卫生
  • 1个政治法律

主题

  • 6个导体
  • 6个低维结构
  • 6个锗量子点
  • 6个直流磁控
  • 6个直流磁控溅射
  • 6个射频磁控
  • 6个射频磁控溅射
  • 6个生长温度
  • 6个两步法
  • 6个量子点
  • 6个纳米
  • 6个纳米点
  • 4个氮化
  • 4个氮化反应
  • 4个氮化硅
  • 4个氮化硅粉
  • 4个氮化硅粉体
  • 4个第一性原理
  • 4个第一性原理研...
  • 4个多孔

机构

  • 6个云南大学
  • 1个复旦大学
  • 1个昆明理工大学
  • 1个中国科学院
  • 1个中国科学院上...

资助

  • 6个国家自然科学...
  • 6个教育部科学技...
  • 6个云南省自然科...
  • 6个云南省教育厅...
  • 3个国家高技术研...
  • 3个国家重点基础...
  • 3个云南省应用基...
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  • 2个国防基础科研...
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  • 1个云南省教育厅...

传媒

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  • 4个物理学报
  • 4个材料导报
  • 3个红外与毫米波...
  • 3个红外技术
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  • 3个功能材料与器...
  • 2个太阳能学报
  • 2个Journa...
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  • 1个光电子.激光
  • 1个硅酸盐通报
  • 1个金属矿山

地区

  • 6个云南省
6 条 记 录,以下是 1-6
叶小松
供职机构:云南大学
研究主题:磁控溅射 GE/SI 纳米点 磁控溅射技术 半导体低维结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨宇
供职机构:云南大学
研究主题:离子束溅射 磁控溅射 SI GE量子点 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
关中杰
供职机构:云南大学
研究主题:半导体低维结构 硅基底 生长温度 直流磁控溅射 纳米点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
靳映霞
供职机构:云南大学
研究主题:硅基底 光催化 半导体低维结构 生长温度 纳米点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李亮
供职机构:云南大学
研究主题:硅基底 生长温度 离子束溅射 半导体低维结构 直流磁控溅射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王茺
供职机构:云南大学
研究主题:离子束溅射 量子点 离子注入 GE量子点 SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共1页<1>
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