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国家重点基础研究发展计划(2002CB311904)

作品数：17 被引量：23H指数：3
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相关机构：西安电子科技大学河北半导体研究所教育部更多>>
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领域

  • 26个电子电信
  • 16个理学
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  • 1个环境科学与工...
  • 1个农业科学

主题

  • 25个晶体管
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  • 20个碳化硅
  • 20个肖特基
  • 18个电阻
  • 18个势垒
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  • 17个电路
  • 17个退火
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  • 15个增益
  • 14个电子迁移率
  • 14个异质结
  • 13个导体
  • 13个英文
  • 12个电流
  • 10个单晶

机构

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  • 8个河北半导体研...
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  • 1个西安交通大学
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  • 1个电子工业部
  • 1个中国电子科技...
  • 1个信息产业部

资助

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  • 18个国家自然科学...
  • 14个国防科技技术...
  • 13个国防科技重点...
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  • 7个国家重点实验...
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传媒

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  • 5个光子学报
  • 5个微电子学与计...
  • 5个强激光与粒子...
  • 5个第三届中国国...
  • 5个第十五届全国...

地区

  • 17个陕西省
  • 8个河北省
  • 1个广东省
共 26 条 记 录，以下是 1-10
张玉明
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 肖特基接触 样片 退火
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张义门
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：4H-SIC 碳化硅 SIC MESFET 欧姆接触
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王超
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：半绝缘 钒 散热 4H-SIC 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭辉
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：样片 退火 石墨烯 欧姆接触电极 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大庆
供职机构：西安科技大学
研究主题：淀积 突变 衬底 原位掺杂 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 异质结
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵彤
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：4H-SIC N型 比接触电阻 欧姆接触 4H-碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王悦湖
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：碳化硅 4H-SIC 碳化硅衬底 掺杂 电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田爱华
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：4H-SIC N型 比接触电阻 欧姆接触 4H-碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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