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国家重点基础研究发展计划(2002CB311907)

作品数：7 被引量：16H指数：3
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地区

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共 15 条 记 录，以下是 1-10
王燕
供职机构：清华大学
研究主题：注射针头 经皮给药 微针 控制部件 注射器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余志平
供职机构：清华大学
研究主题：石墨烯 英文 电路 集成电路设计 螺旋电感
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田立林
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：MOSFET SOI 英文 DSOI 解析模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
祃龙
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：HEMT ALGAN/GAN 二维电子气 小信号模型 I-V特性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
鲁净
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：ALGAN/GAN_HEMT HEMT GAN 小信号模型 误差分析
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛丽君
供职机构：中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成重点实验室
研究主题：电子束直写 ALGAN/GAN_HEMT 光学 微光刻技术 电子束曝光系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS 等离子体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘明
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 衬底 电子束光刻 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢常青
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈培毅
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
研究主题：SIGE 锗化硅 HBT 量子点 双极晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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