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国家高技术研究发展计划(2002AA311220)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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黄风义
供职机构：东南大学
研究主题：低噪声放大器 参数提取方法 等效电路模型 CMOS 小信号等效电路模型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙国胜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵万顺
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李海鸥
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：LATTICE_MODEL 3C-SIC RAMAN PRINCIPLE COINCIDENCE
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段晓峰
供职机构：中国科学院物理研究所
研究主题：透射电子显微镜 电子能量损失谱 应变层超晶格 磁畴 电子全息
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王晓峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：激光 激光退火 缓冲层 脉冲激光 相变存储器
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王雷
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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