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国家高技术研究发展计划(2001AA313060)
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张国义
杨志坚
陆敏
胡晓东
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张国义
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 GAN MOCVD 发光二极管 衬底
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杨志坚
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 位错 MOCVD 衬底
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陆敏
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:MOCVD GAN 氮化镓 英文 MOCVD生长
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章蓓
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 激光剥离 发光二极管 半导体
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胡晓东
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:GAN 氮化镓 GAN基激光器 氮化物 MOCVD
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李忠辉
供职机构:北京大学
研究主题:发光二极管 高亮度 金属有机化学气相沉积 MQW INGAN/GAN
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潘尧波
供职机构:北京大学
研究主题:氮化镓 出光效率 成核 MOCVD生长 激光剥离
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任谦
供职机构:北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室
研究主题:氮化镓 英文 MQW MOCVD生长 MOCVD
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陈志忠
供职机构:北京大学
研究主题:GAN 氮化镓 发光二极管 激光剥离 衬底
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方慧智
供职机构:北京大学物理学院
研究主题:MOCVD GAN 氮化镓 MOCVD生长 缓冲层
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