国家科技攻关计划(2003BA316A01)
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 相关作者：陈宇王良臣严丽红马龙刘志强更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p-GaN的影响被引量：3
- 2007年
- 在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和SiNX材料,阻碍了H原子向外扩散,使H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率(15W,13.56MHz)沉积模式,经过适当的退火,可以减小沉积SiO2过程对p-GaN的影响。
- 陈宇王良臣严丽红
- 关键词：SIO2SINXP-GANI-V特性
- GaN基功率型LED可靠性分析被引量：1
- 2007年
- 以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35%、驱动电流350mA、连续老化1080h下,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减1.35%和2.56%;对LED的失效机理分析表明,GaN基外延材料质量、芯片的结构设计、p型电极的欧姆接触稳定性等均对LED可靠性有重要的影响.
- 陈宇王良臣伊晓燕王立彬刘志强马龙严丽红
- 关键词：GAN功率型LED可靠性
