模拟集成电路国家重点实验室开放基金(99JS0911DZ0104)
- 作品数：3 被引量：18H指数：3
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- 相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团公司更多>>
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- SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化被引量：10
- 2000年
- 建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0
- 张鹤鸣戴显英林大松孙建诚何林
- 关键词：HBT基区渡越时间锗化硅
- SiGe HBT大电流密度下的基区渡越时间模型被引量：7
- 2003年
- 在考虑基区扩展效应及载流子浓度分布的基础上,建立了SiGeHBT的基区渡越时间模型。该模型既适合产生基区扩展的大电流密度,又适合未产生基区扩展的小电流密度。模拟分析结果表明,与SiBJT相比,SiGeHBT基区渡越时间显著减小,同时表明,载流子浓度分布对基区渡越时间有较大影响。
- 戴显英吕懿张鹤鸣何林胡永贵胡辉勇
- 关键词：大电流密度迁移率锗化硅
- SiGe异质结双极晶体管频率特性分析被引量：3
- 2003年
- 在分析载流子输运和分布的基础上,建立了物理意义清晰的各时间常数模型.模型体现了时间常数与SiGe异质结双极晶体管结构参数及电流密度之间的关系,并且包含了基区扩展效应.同时对特征频率与上述参数之间的关系进行了模拟分析和讨论.
- 张鹤鸣戴显英吕懿林大松胡辉勇王伟
- 关键词：SIGE异质结双极晶体管时间常数结构参数电流密度
