国家高技术研究发展计划(2002AA312260)
- 作品数:5 被引量:12H指数:2
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- 单侧耦合 1 6×0.8nm阵列波导光栅的设计、制备及测试(英文)
- 2005年
- 介绍了一种新型 16通道、10 0GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅 (AWG) .通过增加一个Y分支波导结构 ,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列 ,实现了仅用一个光纤阵列进行AWG器件的耦合封装 .这种AWG的结构设计可以有效地减小器件尺寸 ,增加波导结构的弯曲半径 ,减少器件抛光及耦合时间 ,并降低器件成本 .
- 李健安俊明王红杰夏君磊胡雄伟
- 关键词:波分复用
- 偏振不灵敏硅基二氧化硅阵列波导光栅设计(英文)被引量:1
- 2004年
- 以深刻蚀和热氧化工艺为基础 ,提出了一种新的阵列波导光栅 (AWG)制备技术 .这一工艺可使 AWG中的波导侧向留有一硅层 .采用有限元法和有限差分束传播法分别计算了存在这一硅层时的波导应力分布和有效折射率 .结果表明由于这一侧向硅层的存在 ,使 AWG中波导在水平和垂直方向的应力趋于一致 。
- 安俊明李健郜定山夏君磊李建光王红杰胡雄伟
- 关键词:硅基二氧化硅阵列波导光栅双折射
- 火焰水解法制备硅基二氧化硅材料的析晶研究被引量:5
- 2004年
- 用火焰水解法在硅基片上制备了掺杂GeO2和B2O3的SiO2光波导材料。用X射线物相衍射法(XRD)分析了掺杂和烧结工艺对材料的析晶现象的影响。结果表明,当烧结时采取自然降温,GeO2 SiO2材料由于严重析晶而完全碎裂;而当烧结后期采取快速降温,析晶过程受到很大抑制,但仍有析晶。在此GeO2 SiO2材料中掺入适量的B2O3后,得到了完全非晶态的GeO2 B2O3 SiO2材料,但B2O3掺入量过多时,又会导致析晶。
- 郜定山李建光安俊明李健夏君磊王红杰胡雄伟
- 关键词:二氧化硅析晶三氧化二硼
- 16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化被引量:1
- 2004年
- 对设计的折射率差为0.75%的16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)进行了数值模拟和优化。通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5dB、串扰为-48dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求。
- 安俊明李健郜定山李建光王红杰胡雄伟
- 关键词:阵列波导光栅波分复用数值模拟
- 不同原子频标的物理工作原理对比被引量:5
- 2006年
- 本文主要介绍了氢钟、铷钟、铯钟等几种主要原子频标的物理工作原理、性能、工作与应用领域与研究进展;并将介绍了基于CPT(coherentpopulationtrapping)现象研制的芯片级原子钟;最后简述了原子钟的主要应用需求与发展趋势。
- 刘玉菲高翔吴亚明刘文平
- 关键词:原子频标原子钟CPT