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国家部委资助项目(51408010205DZ0164)

作品数:5 被引量:23H指数:3
相关作者:朱樟明柴常春朱小珍杨银堂潘杰更多>>
相关机构:西安电子科技大学中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金:国家部委资助项目国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇放大器
  • 3篇运算放大器
  • 3篇CMOS
  • 2篇折叠共源共栅
  • 2篇全差分
  • 2篇全差分运算放...
  • 2篇共源共栅
  • 1篇单位增益
  • 1篇单位增益带宽
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结晶体管
  • 1篇优化设计
  • 1篇增益
  • 1篇增益带宽
  • 1篇锗硅

机构

  • 5篇西安电子科技...
  • 1篇中国科学院电...

作者

  • 5篇朱樟明
  • 2篇朱小珍
  • 2篇杨银堂
  • 2篇柴常春
  • 1篇李跃进
  • 1篇付晓东
  • 1篇杨海钢
  • 1篇石道林
  • 1篇潘杰

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 3篇2006
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器被引量:7
2006年
设计并讨论了一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器。由于折叠共源共栅结构电路具有相对高的单位增益带宽以及开关电容共模反馈电路稳定性好、对运放频率特性影响小等优点,故设计的放大器采用了折叠共源共栅结构以及开关电容共模反馈电路技术,并达到了高单位增益带宽的设计目的。基于TSMC0·25μmCMOS工艺,仿真结果表明,在2·5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为70dB,单位增益带宽为500MHz。
朱小珍柴常春朱樟明
关键词:单位增益带宽折叠共源共栅全差分
一种12位125MS/s的SiGe BiCMOS采样保持放大器被引量:3
2008年
提出了基于TSMC0.35μm锗硅(SiGe)BiCMOS工艺的全差分跨导运算放大器(OTA),充分利用了异质结晶体管(HBT)共射共基结构的大跨导、小寄生效应、低噪声等特性。采用共源共栅以及增益倍增技术的负载管,在3.3V单电源下,开环增益为92.2dB,单位增益频率为1.26GHz,相位裕度为61.1o(负载为550fF时),差分输出摆幅为3V,以此OTA为核心的采样保持放大器(SHA)的最大采样频率为125MHz。
潘杰杨海钢杨银堂朱樟明
关键词:锗硅异质结晶体管跨导运算放大器采样保持放大器
一种高速CMOS全差分运算放大器被引量:11
2006年
设计并讨论了一种高速CMOS全差分运算放大器。设计中采用了折叠共源共栅结构、连续时间共模反馈以及独特的偏置电路,以期达到高速及良好的稳定性。基于TSMC0.25μm CMOS工艺,仿真结果表明,在2.5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为71.9dB,单位增益带宽为495MHz(CL=0.5pF),建立时间为24ns,功耗为3.9mW。
朱小珍朱樟明柴常春
关键词:折叠共源共栅共模反馈全差分
一种2.4GHzCMOS低噪声放大器的优化设计被引量:1
2006年
通过对共源共栅结构的低噪声放大器的噪声和线性度的理论分析,得出该结构的放大器的噪声主要受第一级MOS管的影响,而线性度主要受第二级MOS管的影响。并由此提出一种对该电路的噪声和线性度的分别优化的方法。采用该方法设计一个基于TSMC0.25μmCMOS工艺、2.4GHz的低噪声放大器,仿真结果表明在2.4GHz下,它的噪声系数[NF]为1.15dB,增益S21为16.5dB,工作电压1.5V时,功耗为14mW,线性度IIP3为0.3dBm。
石道林李跃进朱樟明
关键词:低噪声放大器阻抗匹配
一种CMOS混合信号电路衬底噪声耦合模型被引量:1
2007年
利用二维器件模拟器MEDICI提取出重掺杂外延型衬底的电阻宏简化模型,所需的6个参数均可通过器件模拟得到,能够精确表征混合信号集成电路中的衬底噪声特性。基于0.25μm CMOS工艺所建立的电阻宏模型,设计了简单的混合信号电路进行应用验证,证明了该模型能够有效表征混合信号集成电路的衬底噪声。
朱樟明杨银堂付晓东
关键词:衬底噪声混合信号集成电路金属氧化物半导体
共1页<1>
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