国家中长期科技发展规划重大专项(2009ZX02308)
- 作品数：92 被引量：165H指数：6
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- 相关机构：河北工业大学河北联合大学天津职业技术师范大学更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 金刚石膜电化学氧化液的制备及清洗技术研究被引量：1
- 2012年
- 提出了一种采用电化学去除硅片表面有机物的新的清洗方法,用金刚石膜电极作为阳极,电化学氧化硫酸铵溶液生成稳定的强氧化溶液,电解液的氧化性通过间接碘量法测量。通过大量实验,优化初始电解液的浓度以及初始温度等因素,得到氧化强度最佳的电化学清洗液。用自制氧化液进行硅片表面有机物的清洗实验,并与传统的RCA清洗方法进行对比。通过XPS分析可知,采用新的电化学氧化溶液清洗后的硅片表面有机物去除效果明显优于对比实验样品。
- 张艳檀柏梅高宝红刘玉岭黄妍妍
- 关键词：金刚石膜电极电化学有机物氧化液
- Cu CMP平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用
- 2015年
- 研究了在铜化学机械抛光(CMP)平坦化中螯合剂与氧化剂的协同作用。铜CMP抛光液主要由SiO2磨料、非离子表面活性剂、螯合剂和氧化剂组成。针对不同比例螯合剂与氧化剂的协同作用,分别对抛光/静态腐蚀速率、电化学、片内非均匀性及平坦化、表面粗糙度进行了检测。通过对实验数据进行理论分析,研究表明当螯合剂与氧化剂的比例约为1∶1时,平坦化效果最好。研究为进一步优化抛光液配比,最终实现Cu CMP的全局平坦化提供了一定的理论基础。
- 闫辰奇刘玉岭张金王辰伟张燕邓海文安春燕
- 关键词：CMP螯合剂氧化剂平坦化
- 低压力Cu布线CMP速率的研究被引量：4
- 2010年
- 采用低介电常数材料(低k介质)作为Cu布线中的介质层,已经成为集成电路技术发展的必然趋势。由于低k介质的低耐压性,加工的机械强度必须降低,这对传统化学机械抛光(CMP)工艺提出了挑战。通过对CMP过程的机理分析,提出了影响低机械强度下Cu布线CMP速率的主要因素,详细分析了CMP过程中磨料体积分数、氧化剂体积分数、FA/O螯合剂体积分数等参数对去除速率的影响。在4.33 kPa的低压下通过实验得出,在磨料体积分数为20%,氧化剂体积分数为3%,FA/O螯合剂体积分数为1.5%时可以获得最佳的去除速率及良好的速率一致性。
- 刘海晓刘玉岭刘效岩李晖王辰伟
- 关键词：化学机械抛光铜布线抛光速率
- 乙醇对低磨料CMP过程中铜膜凹凸处去除速率选择性的影响被引量：1
- 2014年
- 根据相似相容原理,在低磨料浓度CMP过程中,利用乙醇对多羟多胺螯合剂的降黏特性来提高铜膜表面凹凸处抛光速率的选择性。根据抛光液中各组分浓度对动态和静态条件下铜膜去除速率的影响获得乙醇加入量的最大值;通过螯合剂、氧化剂与乙醇对动静态条件下铜膜去除速率的相互作用关系来确定各组分的最佳浓度。最终得出当各组的体积分数为:磨料0.5%,螯合剂10%,H2O20.5%,乙醇1%时,铜膜表面拥有最大的凸处和凹处速率比。在MIT 854铜布线片上进行平坦化试验,结果表明:该抛光液能够很大程度的减小布线表面的高低差,拥有较强的平坦化能力。红外光谱检测结果表明:在CMP过程中,铜膜表面不会生成副产物乙酸乙酯。上述结果进一步证实了该抛光液的实用性。
- 李炎刘玉岭卜小峰王傲尘
- 关键词：化学机械抛光乙醇
- 化学机械平坦化材料对蓝宝石抛光速率与粗糙度的影响被引量：2
- 2016年
- 采用自主研制的新型碱性蓝宝石抛光液,在蓝宝石化学机械平坦化过程中加入FA/O型非离子表面活性剂,该活性剂能够减小蓝宝石表面粗糙度,同时,在蓝宝石抛光速率下降不明显的情况下实现较高的凹凸去除速率差,有利于实现蓝宝石的全局平坦化。通过实验得到了碱性条件下抛光速率较高、粗糙度较小的最佳pH值。研究了等质量分数等粒径条件下磨料分散度以及抛光温度对抛光速率和蓝宝石表面粗糙度的影响。
- 贾少华刘玉岭王辰伟闫辰奇
- 关键词：蓝宝石CMP活性剂分散度
- 微晶硅薄膜微结构对稳定性的影响被引量：1
- 2011年
- 实验研究了不同晶化率的微晶硅(μc-Si)薄膜的光衰退现象,提出了制备高稳定性硅薄膜太阳电池材料选取方案。研究结果表明,μc-Si中的非晶硅(a-Si)组分是导致光衰退的主要原因,晶化率越高,材料越稳定;过渡区靠近μc-Si材料区域的μc-Si材料,由于具有更好的稳定性和光敏特性,适于制备μc-Si太阳能电池;过渡区附近靠近a-Si材料区域的μc-Si材料,由于具有更高的稳定性,适于制备a-Si太阳能电池。
- 赵之雯刘玉岭
- 关键词：太阳能电池稳定性
- CMP后清洗中活性剂对SiO_2颗粒去除的影响被引量：1
- 2016年
- 主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO_2颗粒沾污去除的影响。由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO_2颗粒沾污去除效果先升高后降低,在体积分数为0.25%时效果最优。由原子力显微镜(AFM)测试实验可以得出,当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时铜光片表面粗糙度最小,说明此时SiO_2颗粒沾污得到了有效去除,适当的FA/O型活性剂体积分数能有效提高清洗后铜光片的表面质量。通过扫描电子显微镜(SEM)随机扫描,对SiO_2颗粒沾污进行统计计算,得出当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时SiO_2颗粒沾污缺陷占总缺陷的百分比最小,说明FA/O型活性剂可以有效去除化学机械抛光后铜光片表面的SiO_2颗粒沾污。
- 洪姣牛新环刘玉岭王辰伟孙鸣高宝红韩力英
- 关键词：SIO2颗粒金相显微镜
- 阻挡层CMP中铜损失的问题被引量：3
- 2013年
- 通过对阻挡层CMP后布线片各个单元的电学参数的检测,研究了阻挡层CMP后产生的铜损失问题。通过探索规律性实验研究了螯合剂和表面活性剂对铜和钽的去除速率的影响规律,得到铜的去除速率与阻挡层材料(Ta)去除速率随螯合剂与表面活性剂含量变化的规律,铜的去除速率以及铜与阻挡层材料去除速率比都达到要求。抛光液中的螯合剂能够快速与金属离子反应生成螯合物,从而达到去除铜膜和阻挡层的目的。将符合要求的抛光液运用到铜布线片上进行阻挡层CMP,得到良好的效果,铜损失得到了有效控制。在铜布线片上测得的铜线条电阻和漏电流数值可以很直观地反映出抛光液对器件性能的影响,所以主要以测得的铜线条电阻和漏电流作为参考标准进行研究。
- 王伟超王胜利刘玉岭王辰伟岳红维高娇娇马锁辉
- 关键词：阻挡层电阻漏电流
- 优化CMP碱性铜抛光液配比的新方法被引量：2
- 2015年
- 采用响应曲面法(RSM)和人工神经网络(ANN)分别对化学机械抛光(CMP)碱性铜抛光液的主要成分(Si O2磨料、FA/O型螯合剂、H2O2氧化剂)进行优化研究。采用RSM优化,当抛光液中磨料、氧化剂和FA/O型螯合剂的体积分数分别为10.57%,1.52%和2.196%时,Cu的抛光速率的预测值和实测值分别为924.29和908.96 nm/min;采用ANN结合人工蜂群算法(ABC)优化,当抛光液中磨料、氧化剂和FA/O型螯合剂的体积分数分别为11.58%,1.467%和2.313%时,Cu的抛光速率的预测值和实测值分别为947.58和943.67 nm/min,其拟合度为99.36%,高于RSM的94.63%,且均方根误差较低为0.199 3。结果表明,在抛光液配比优化方面,RSM和ANN都是可行的,但后者比前者具有更好的拟合度和预测准确度,为更加高效科学地优化抛光液配比提供了一种新的思路和方法。
- 樊世燕刘玉岭林凯石陆魁刘恩海
- 关键词：抛光液
- 非离子表面活性剂对铝栅化学机械平坦化的影响
- 2019年
- 采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。工艺条件为:工作压力13.79 kPa,抛头转速55 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 mL/min,时间180 s。研究了抛光液中非离子表面活性剂体积分数对铝片去除速率、表面粗糙度和润湿性的影响。随着非离子表面活性剂体积分数的增大,铝片的去除速率呈缓慢下降的趋势,表面粗糙度先减小后略增,对抛光液的接触角减小。抛光液中非离子表面活性剂积分数为2.0%时,铝片对其接触角为11.25°,抛光后的表面粗糙度(Ra)为2.3 nm。
- 张金刘玉岭闫辰奇
- 关键词：铝栅化学机械平坦化去除速率表面粗糙度润湿性
