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国家重点基础研究发展计划(G20000366)

作品数:27 被引量:132H指数:6
相关作者:余金中陈少武樊中朝严清峰韩伟华更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 27篇中文期刊文章

领域

  • 24篇电子电信
  • 4篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇SOI
  • 6篇波导
  • 4篇耦合器
  • 4篇刻蚀
  • 4篇光开关
  • 3篇多模
  • 3篇多模干涉
  • 3篇多模干涉耦合...
  • 3篇折射率
  • 3篇脊形
  • 3篇光波
  • 3篇粗糙度
  • 2篇调制
  • 2篇有效折射率
  • 2篇脊形波导
  • 2篇脊形光波导
  • 2篇光电
  • 2篇光网
  • 2篇光纤
  • 2篇光纤耦合

机构

  • 27篇中国科学院

作者

  • 26篇余金中
  • 11篇陈少武
  • 5篇樊中朝
  • 5篇严清峰
  • 4篇夏金松
  • 4篇刘敬伟
  • 4篇韩伟华
  • 3篇王小龙
  • 3篇陈媛媛
  • 3篇王章涛
  • 2篇刘忠立
  • 2篇李运涛
  • 2篇王启明
  • 1篇于丽娟
  • 1篇黄永箴
  • 1篇杨笛
  • 1篇王良臣
  • 1篇余和军
  • 1篇刘艳
  • 1篇魏红振

传媒

  • 10篇Journa...
  • 4篇光电子.激光
  • 3篇物理学报
  • 3篇激光与红外
  • 3篇半导体光电
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光子学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 6篇2005
  • 4篇2004
  • 8篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 1篇2000
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种新的基于最小平方逼近的广角光束传播方法被引量:5
2003年
用最小平方逼近展开传播算子 ,实现了一种新的半矢量显式高阶有限差分光束传播方法 .这种方法中不需要选择参考折射率 ,并在整个传播常数 (包括辐射模的传播常数 )分布区域进行逼近 ,解决了在泰勒展开和庞德逼近中存在的参考折射率选择和远离展开点误差增大等问题 .用这种方法对几种典型波导结构进行了数值模拟 ,模拟结果验证了算法的正确性和可靠性 .
夏金松余金中
关键词:有限差分集成光学数值模拟
SOI基光耦合器研究进展
2007年
文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展,着重介绍了目前耦合效率最高(55%),且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性。
刘艳余金中
关键词:耦合器
紧缩型SOI多模干涉光开关的设计被引量:1
2003年
提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关。开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成。通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等离子色散效应(PDE)改变调制区的折射率来实现开关动作。用FD BPM方法对开关的工作原理和性能进行了模拟与分析。结果表明,光开关良好的综合性能,而整个开关的长度只有7mm。
王章涛余金中
关键词:SOI多模干涉耦合器
光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展被引量:11
2005年
文章简要介绍了光开关矩阵控制和驱动电路及集成技术的研究进展,重点分析了控制和驱动电路的功能以及不同类型和材料的光开关的控制和驱动电路的实现形式。同时讨论了控制和驱动电路与光开关芯片的系统集成方法。
李运涛陈少武余金中
关键词:光开关光电集成
SOI电光开关中热光效应分析被引量:4
2003年
分析了 SOI(silicon- on- insulator) 2× 2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响。采用二维半导体器件模拟器 PISCES- 对器件进行了模块。结果表明 ,热光效应对等离子色散效应的影响与调制区长度密切相关 ,当调制区长度较短时 ,热光效应的影响不容忽视 ;当调制区长度大于 5 0 0μm时 ,这种影响可以忽略不计。
严清峰余金中
关键词:电光开关热光效应SOI
Design and Fabrication of Ultracompact 3-dB MMI Coupler in Silicon-on-Insulator被引量:1
2003年
An ultracompact 3 dB coupler is designed and fabricated in silicon on insulator,based on 1×2 line tapered multimode interference (MMI) coupler.Comparing with the conventional straight MMI coupler,the device is ~40% shorter in length.The device exhibits uniformity of 1 3dB and excess loss of 2 5dB.
严清峰余金中刘忠立
Modulation of Photonic Bandgap and Localized States by Dielectric Constant Contrast and Filling Factor in Photonic Crystals被引量:2
2003年
The band structure of 2D photonic crystals (PCs) and localized states resulting from defects are analyzed by finite-difference time-domain (FDTD) technique and Padé approximation.The effect of dielectric constant contrast and filling factor on photonic bandgap (PBG) for perfect PCs and localized states in PCs with point defects are investigated.The resonant frequencies and quality factors are calculated for PCs with different defects.The numerical results show that it is possible to modulate the location,width and number of PBGs and frequencies of the localized states only by changing the dielectric constant contrast and filling factor.
陈沁黄永箴国伟华于丽娟
关键词:FDTD
BPM方法在SOI结构中的应用被引量:1
2002年
采用交错隐式算子分裂 (ADI)算法 ,设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法 (BPM)来模拟 SOI波导中不同偏振态的光传输 ,研究了 PML 边界层的选取对虚传播计算基模和基模传播常数的影响 ,给出了大光腔
张小峰余金中王启明魏红振
关键词:SOI结构波导
SOI Waveguides Fabricated by Wet-Etching Method
2003年
SOI waveguides fabricated by wet-etching method are demonstrated.The single mode waveguide and 1×2 3dB MMI splitter are analyzed and designed by three dimensional beam propagation method to correct the error of effective index method and guided mode method.The devices are fabricated.Excellent performances,such as low propagation loss of -1.37dB/cm,low excess loss of -2.2dB,and good uniformity of 0.3dB,are achieved.
王小龙严清峰刘敬伟陈少武余金中
关键词:SOI
硅片接触表面的弹性形变范围被引量:4
2001年
提出了键合过程中硅片接触的一种弹性形变模型。接触硅片表面的周期性应力场决定着接触表面形貌的变化。Airy应力函数给出了满足键合界面应力平衡微分方程的解。根据应变场的分布 。
韩伟华余金中
关键词:应力场硅片键合
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