您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(60072004)

作品数:18 被引量:40H指数:4
相关作者:杨谟华于奇宁宁罗谦杜江锋更多>>
相关机构:电子科技大学中国电子科技集团第二十四研究所中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信

主题

  • 6篇电流崩塌
  • 6篇表面态
  • 4篇低功耗
  • 4篇电流崩塌效应
  • 4篇转换器
  • 4篇功耗
  • 3篇CMOS
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇脉冲测试
  • 2篇模数转换
  • 2篇模数转换器
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇高速低功耗
  • 2篇比较器
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇GAN
  • 1篇氮化镓

机构

  • 16篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 14篇杨谟华
  • 8篇于奇
  • 8篇宁宁
  • 7篇罗谦
  • 6篇杜江锋
  • 4篇吴霜毅
  • 4篇刘源
  • 4篇夏建新
  • 4篇靳翀
  • 3篇龙飞
  • 3篇王向展
  • 3篇周伟
  • 2篇罗静芳
  • 2篇覃浩洋
  • 2篇卢盛辉
  • 2篇梅丁蕾
  • 2篇杜江峰
  • 2篇刘国庆
  • 1篇戴广豪
  • 1篇陈昭祥

传媒

  • 6篇微电子学
  • 2篇Journa...
  • 2篇微纳电子技术
  • 2篇Journa...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子与信息学...
  • 1篇电子学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
  • 5篇2007
  • 7篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
A Novel Dual-Rate Sampling Switched-Capacitor Configuration and Its Application
2003年
In order to realize accurate bilinear transformation from s- to z-domain,a novelswitched-capacitor configuration is proposed in the light of principles of dual-rate sampling and chargeconservation,which has also been used for building a 5th-order elliptic lowpass filter.The filter issimulated and measured in typical 0.34 μm/3.3 V Si CMOS process models,special full differentialoperational amplifiers and CMOS transfer gate switches,which achieves 80 MHz sampling rate,17.8MHz cutoff frequency,0.052 dB maximum passband ripple,42.1 dB minimum stopband attenuation and74 mW quiescent power dissipation.At the same time,the dual-rate sampling topology breaks thetraditional restrictions of filter introduced by unit-gain bandwidth and slew rate of operational amplifiersand also improves effectively their performances in high-frequency applications.It has been applied forthe design of an anti-alias filter in analog front-end of video decoder IC with 15 MHz signal frequencyyet.
CAO Kunyong YU Shenglin(College of Automation Engineering,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics Nanjing 210016 China)
关键词:NOVELCONFIGURATIONSWITCHEDCAPACITOR
一种基于GaN HEMT直流特性的SPICE宏模型
本文提出了一种基于GaN HEMT直流特性的宏模型结构,考虑了GaN HEMT的栅极泄漏电流,并采用行为级模型来处理非线性电阻,详细介绍了宏模型建立的整个流程,并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。
陈昭祥杜江峰
关键词:宏模型非线性电阻行为级模型
文献传递
脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究
2005年
基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点。大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当栅压较小时,随着脉冲宽度的改变,漏脉冲电流按I0(0.89+γT/16)的规律变化。分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间,并被表面态捕获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道电流减小,从而导致电流崩塌效应。该结论可望用于GaN HEMT器件在脉冲条件下电流崩塌效应进一步的理论探讨和实验研究。
龙飞杜江锋罗谦靳翀周伟夏建新杨谟华
关键词:电流崩塌效应GANHEMT表面态脉冲测试
新型低功耗8位250 MSPS 3级Flash A/D转换器被引量:2
2007年
为了降低A/D转换器(ADC)的功耗和面积,基于Flash ADC原理,利用分级比较方式,减少ADC比较器数目,并源自全新的基准区间选通逻辑模块,替代MDAC和残差放大单元;针对8位分辨精度,提出了一种新型3级Flash ADC架构,并依此结构,设计实现了一个8位250 MSPSADC。0.35μm/3.3 V AMS Si-CMOS工艺模型和版图验证结果表明,在实现250 MSPS前提下,DNL<±0.4 LSB,INL<±0.5 LSB;Nyquist频率下,SFDR为59.2 dB,功耗85 mW,面积1.20mm×8 mm。对比同类ADC,功耗与面积指标明显占优。该系统架构可望应用于高速低功耗混合信号处理电路的研究和开发。
宁宁于奇范龙吴霜毅刘国庆刘源杨谟华
关键词:A/D转换器比较器高速低功耗
栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究被引量:1
2007年
源于AlGaN/GaNHEMT器件的大量测试分析发现,栅脉冲条件下漏极电流比直流情况下减小了47%;随着信号频率的改变,漏极电流按μnCoxW[α+(0.13+0.64f)VGS+(0.13+0.32f)VGS2](VGS-Vth)2/L的规律变化;脉冲信号宽度对漏电流崩塌影响较小.基于实验结果的理论分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间并被表面态所俘获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道二维电子气浓度减小,从而导致形成电流崩塌效应的主要原因之一.该结论有助于AlGaNHEMT器件脉冲条件下电流崩塌效应理论解释和器件应用.
龙飞杜江锋罗谦靳翀杨谟华
关键词:电流崩塌效应ALGAN/GAN表面态
适于高速高精度多级ADC的功耗-速率优值模型
2007年
该文依据多级比较原理,建立了ADC功耗-速率优值模型。基于比较器数目最优算法,推导出多级ADC最优比较器数目,并提出多级ADC功耗-速率优值参数,从而得到可实现小功耗、高转换速率的多级ADC优化结构。以10位精度ADC为例,系统级仿真结果表明:多级ADC中的三级Pipelined结构可将全FlashADC功耗降低到最小,而保持相同的转换速率;同时理论验证了以两步式结构实现多级ADC优于其他多步式结构。该优值模型可应用于高速、高精度ADC系统结构优化。
吴霜毅于奇王浩娟覃浩洋宁宁杨谟华
关键词:模数转换器比较器低功耗
基于双肖特基接触GaN薄膜特性参数测试新方法
2004年
提出了一种 Ga N薄膜电学参量测试新方法 .该方法基于双肖特基结二极管结构 ,利用非对称的电极图形获取整流特性 ,从而省去了复杂的欧姆接触形成工艺 ,可方便地导出电子电导迁移率和肖特基接触理想因子等特征参数 .对残留载流子浓度为 7× 10 1 6 cm- 3的非故意掺杂 Ga N薄膜进行了试验 ,新方法得到 Ni/Au- Ga N肖特基接触的理想因子为 2 .8,Ga N薄膜方块电阻为 4 91Ω 和电子电导迁移率为 6 0 6 cm2 /(V· s) .这些典型参数与利用欧姆接触实验和普通 Ni/Au- Ga N肖特基二极管测试所得结果较为吻合 .该方法为半导体薄膜测试提供了新思路 ,可推广用于难以形成良好线性欧姆接触或材料特性受欧姆接触工艺影响较大的外延材料及其金半接触的监测研究 .
罗谦杨谟华杜江锋梅丁蕾王良臣白云霞
关键词:GAN肖特基接触测量方法
实现Folded-Cascode放大器快速建立的时钟馈通频率补偿(英文)
2006年
基于有源开关电容网络二阶系统最小建立时间( MST)理论和阶跃响应分析,提出了一种用于Folded-Cas-code放大器的频率补偿新方法,即通过MOS电容引入时钟馈通以调整电路阻尼因子η,使其达到MST状态,从而实现快速建立.研究结果表明,补偿后放大器的建立时间缩短了22·7%;当负载电容从0·5变化至2·5pF,其建立时间从3·62ns近似线性地增长到4·46ns ;将采用该补偿方法的放大器应用于可变增益( VGA)系统,当闭环增益变化时,仅需调整MOS电容值仍可实现对应状态下的快速建立.
宁宁于奇王向展戴广豪刘源杨谟华
关键词:VGA
补偿流水线A/D转换器级间增益误差的后台校正技术
2007年
在分析流水线A/D转换器中残差放大器电容匹配性和运放的有限增益引起的误差对信号传输影响的基础上,基于冗余位校正流水线A/D转换器结构,通过在信号通路中加入由伪随机码控制的校正信号测量上述误差的方法,在后台校正输出数字信号中的级间增益误差。通过Mat-lab对A/D转换器进行了系统级仿真。结果表明,12位A/D转换器系统的SFDR提高了31.8dB,SNDR提高了11.5 dB,INL减小了3.43 LSB,DNL减小了0.21 LSB。
覃浩洋吴霜毅宁宁
关键词:流水线A/D转换器伪随机码
一种低温漂低电源电压调整率CMOS基准电流源被引量:8
2006年
通过对带隙基准电路零温漂点设置的开发,获取负温系数电压,实现负温系数电流获取新方法,发展令PMOSFET源栅电压与阈值电压的电源电压变化率相消,从而优化电源电压调整率的新概念,提出了一种CMOS基准电流源新方案。源于SMIC 0.35μm CMOS工艺模型。Cadence Hspice模拟验证结果表明,在-40-85℃温度范围内,温度系数为6.9ppm/℃;3.0~3.6V电压区间,电源电压调整率系10.6ppm/V,低于目前文献报道的基准电流源相应指标。该新方案已经用于10位100MSPSA/D转换器的研究设计,并可望应用于高精度模拟/混合信号系统的开发。
刘国庆于奇刘源宁宁何波罗静芳杨谟华
关键词:低温漂
共2页<12>
聚类工具0