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云南省教育厅科学研究基金(2011Y114)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：关中杰叶小松靳映霞李亮杨宇更多>>
相关机构：云南大学更多>>
发文基金：云南省教育厅科学研究基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇两步法
  • 1篇缓冲层
  • 1篇溅射
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇云南大学

作者

  • 1篇王茺
  • 1篇杨宇
  • 1篇李亮
  • 1篇靳映霞
  • 1篇叶小松
  • 1篇关中杰

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
两步法溅射中缓冲层厚度对Ge薄膜质量的影响被引量：1
2012年
采用低温缓冲层技术制备Ge薄膜,利用AFM和Raman光谱研究缓冲层厚度对低温Ge缓冲层残余应变弛豫的影响。实验结果显示:随着缓冲层厚度的增加,残余应变弛豫度增大。在30 nm厚的低温Ge缓冲层上生长800nm厚的Ge外延层。Ge薄膜具有良好的结晶性,表面粗糙度RMS为2.06 nm。
关中杰靳映霞王茺叶小松李亮杨宇
关键词：射频磁控溅射
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共1页<1>
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