国家重点基础研究发展计划(2002CB311904)
- 作品数：17 被引量：23H指数：3
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- 钒注入制备半绝缘SiC的退火效应(英文)
- 2008年
- 对钒离子注入p型和n型4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性进行了研究。注入层电阻率随退火温度的升高而增加,经过1650℃退火后,钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.6×1010Ω·cm和7.6×106Ω·cm。借助原子力显微镜对样品表面形貌进行分析,发现碳保护膜可以有效减小高温退火产生的表面粗糙,抑制沟槽的形成。二次离子质谱分析结果表明退火没有导致明显的钒在SiC中的再扩散。即使经过1650℃高温退火,也没有发现钒离子向SiC表面外扩散的现象。
- 王超张义门张玉明谢昭熙郭辉徐大庆
- 关键词：退火
- 钒受主能级在n型4H-SiC中的深能级瞬态傅里叶谱和光致发光(英文)
- 2008年
- 借助深能级瞬态傅里叶谱研究了钒离子注入在SiC中引入的深能级陷阱.掺入的钒在4 H-SiC中形成两个深受主能级,分别位于导带下0.81和1.02eV处,其电子俘获截面分别为7.0×10-16和6.0×10-16cm2.对钒离子注入4 H-SiC样品进行低温光致发光测量,同样发现两个电子陷阱,分别位于导带下0.80和1.16eV处。结果表明,在n型4 H-SiC掺入杂质钒可以同时形成两个深的钒受主能级,分别位于导带下0.8±0.01和1.1±0.08eV处.
- 王超张义门张玉明王悦湖徐大庆
- 关键词：4H-SIC
- 高能量钒注入n型4H-SiC的欧姆接触形成(英文)
- 2007年
- 借助二次离子质谱法分析了注入的钒离子在碳化硅中的分布.即使经过1650℃的高温退火,钒在碳化硅中的再扩散也不显著.退火并没有导致明显的钒向碳化硅表面扩散形成堆积的现象,由于缺少钒的补偿作用,表面薄层的自由载流子浓度保持不变.采用线性传输线模型测量了钒注入n型4H-SiC上的Ni基接触电阻,在1050℃下,在氮、氢混合气体中退火10min,形成的最低比接触电阻为4.4×10-3Ω.cm2.金属化退火后的XRD分析结果表明,镍、碳化硅界面处形成了Ni2Si和石墨相.观测到的石墨相是由于退火导致C原子外扩散并堆积形成,同时在碳化硅表面形成C空位.C空位可以提高有效载流子浓度,降低势垒高度并减小耗尽层宽度,对最终形成欧姆接触起到了关键作用.
- 王超张义门张玉明郭辉徐大庆王悦湖
- 关键词：欧姆接触
- 钒注入4H-SiC半绝缘特性的研究被引量：3
- 2006年
- 研究了2100keV高能量钒注入4H-SiC制备半绝缘层的方法和特性，注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行模拟．采用一种台面结构进行I-V测试，发现钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型有很大关系．常温下，钒注入p型和n型4H-SiC的电阻率分别为1．6×10^10和7．6×10^6Ω·cm．测量了不同退火温度下的电阻率，发现高温退火有利于钒的替位激活和提高电阻率，由于钒扩散的影响1700℃退火使得电阻率略有下降．测量了n型SiC钒注入层在20～140℃时的电阻率，计算出钒受主能级在4H-SiC中的激活能为0．78eV．
- 王超张玉明张义门
- 关键词：碳化硅半绝缘退火激活能
- 高频4H-SiC双极晶体管的研制被引量：2
- 2009年
- 研制出国内第一个高频4H-SiC双极晶体管。该器件采用了双台面结构和叉指结构,室温下的最大直流电流增益(β)为3.25,集电结击穿电压BVCBO达200 V。器件的β随温度的升高而降低,具有负的温度系数,这种特性使该器件容易并联,避免出现热失控现象。器件的高频特性由矢量网络分析仪测量得到,截止频率fT为360 MHz、最高振荡频率fmax为160 MHz。
- 田爱华崔占东赵彤刘英坤
- 关键词：4H-碳化硅双极晶体管电流增益截止频率
- AlGaN／GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析被引量：2
- 2008年
- 对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之增加,而当长度增大到一定程度后器件击穿电压不再增加.通过优化场板长度,器件击穿电压提高了64%,且实验结果与模拟结果相符.
- 魏巍郝跃冯倩张进城张金凤
- 关键词：ALGAN/GAN击穿电压
- n型SiC的Ni基欧姆接触中C空位作用的实验证明(英文)被引量：2
- 2007年
- 通过在Si面p型4 H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成n阱.Ti和Ni依次淀积在有源区的表面,金属化退火后的XRD分析结果表明Ni2Si是主要的合金相.XEDS的结果表明在Ni2Si/SiC界面处存在一层无定型C.去除Ni2Si合金相与无定型C之后重新淀积金属,不经退火即可形成欧姆接触.同时,注入层的方块电阻Rsh从975下降到438Ω/□.结果表明,合金化退火过程中形成了起施主作用的C空位(VC) .C空位提高了有效载流子浓度并对最终形成欧姆接触起到了重要作用.
- 郭辉张义门张玉明
- 关键词：NI欧姆接触SIC离子注入
- The fabrication of nickel silicide ohmic contacts to n-type 6H-silicon carbide被引量：2
- 2007年
- 郭辉张义门乔大勇孙磊张玉明
- 关键词：带隙
- The simulation of temperature dependence of responsivity and response time for 6H-SiC UV photodetector
- 2007年
- 张义门周拥华张玉明
- 关键词：敏感度
- Ti-Al based ohmic contacts to n-type 6H-SiC with ion implantation被引量：2
- 2006年
- 郭辉张义门张玉明
- 关键词：欧姆接触
