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国家重点基础研究发展计划(2002CB311907)

作品数：7 被引量：16H指数：3
相关作者：王燕余志平祃龙田立林鲁净更多>>
相关机构：清华大学中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家教育振兴行动计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 3篇ALGAN/...
  • 2篇薛定谔
  • 2篇薛定谔方程
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇ALGAN/...
  • 2篇HEMT
  • 2篇泊松
  • 2篇泊松方程
  • 2篇SIGE
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇电阻
  • 1篇英文
  • 1篇直流
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇隧穿
  • 1篇特性分析
  • 1篇迁移率

机构

  • 7篇清华大学
  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 6篇余志平
  • 6篇王燕
  • 3篇祃龙
  • 3篇鲁净
  • 3篇田立林
  • 2篇谢常青
  • 2篇刘明
  • 2篇夏洋
  • 2篇薛丽君
  • 1篇陈培毅
  • 1篇邵雪
  • 1篇马杰
  • 1篇熊晨荣
  • 1篇禡龙
  • 1篇邹建平

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析被引量：1
2007年
采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。
薛丽君刘明王燕禡龙鲁净谢常青夏洋
关键词：泊松方程薛定谔方程流体力学方程
空穴型Si/SiGe共振隧穿二极管及其直流参数提取
2005年
共振隧穿二极管因其特有的负微分电阻特性,成为一种很有前途的基于能带工程的异质结构量子器件。采用超高真空外延技术,以p型重掺杂硅为衬底生长出以4nm厚Si0.6Ge0.4层为空穴量子阱、以4nm厚Si层为空穴势垒的双势垒单量子阱结构。然后用常规半导体器件工艺制成了空穴型共振隧穿二极管。在室温下对面积为8μm×8μm的共振隧穿二极管进行测量,其峰值电流密度为45.92kA/cm2,电流峰谷比为2.21。根据测量得到的电流电压特性考虑串联电阻的影响,提取出共振隧穿二极管的直流参数。可以利用这些参数将共振隧穿二极管的直流模型加入SPICE电路模拟软件器中进行共振隧穿二极管电路设计。
熊晨荣王燕陈培毅余志平
关键词：共振隧穿二极管SIGE负微分电阻
SiGe/Ge/SiGe异质结构中自旋极化输运特性的模拟被引量：1
2005年
利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究 .在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中 ,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制 .在 77～ 30 0K的温度范围内 ,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究 .模拟结果显示 ,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响 ,避免自旋极化率衰减 ,增大自旋散射长度 .栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大 ,并产生负跨导效应 .
邹建平田立林余志平
关键词：蒙特卡罗方法
AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)
2006年
考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.
薛丽君夏洋刘明王燕邵雪鲁净马杰谢常青余志平
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管极化电荷量子效应
一种新的AlGaN/GaN HEMT小信号模型与提参方法被引量：3
2007年
为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻Rlgs,Rlgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改进,建立了19元件(20参数)的小信号等效电路拓扑结构.根据此模型提供了一套稳定的直接提参方法,结果表明新的模型系统具有简单、适应频率、偏压范围广、稳定性好和精度高等特点.相比于传统的集总模型能适应更高的频率范围,对器件品质和测量环境要求不高,有更强的稳定性.
鲁净王燕祃龙余志平
关键词：GANHEMT误差分析
AlGaN/GaN一维模型自洽求解和二维电子气特性研究被引量：3
2005年
实现了一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解,在此基础上求出了AlGaN/GaN异质结导带结构和二维电子气分布。计算结果表明极化效应是形成高浓度电子面密度的主要因素。研究了AlGaN/GaN系统中隔离层厚度对二维电子气浓度的影响,并对计算结果进行了分析。
祃龙王燕余志平田立林
关键词：泊松方程薛定谔方程二维电子气
AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性被引量：10
2004年
在考虑 Al Ga N / Ga N异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上 ,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程 .通过模拟计算 ,研究了 Al Ga N / Ga N HEMT器件掺杂层 Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响 .用准二维物理模型计算了 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的输出特性 ,给出了相应的饱和电压和阈值电压 ,并对计算结果和 Al Ga N/ Ga N HEMT器件的结构优化进行了分析 .
祃龙王燕余志平田立林
关键词：ALGAN/GANHEMT二维电子气
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