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搜索到29篇“ SICOI“的相关文章

一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器: 本发明涉及一种基于SiCOI的主动激发式无线无源高温热流传感器，所述传感器由下至上依次包括：SiCOI晶圆(10)、下绝缘层(20)、下金属层(30)、上绝缘层(40)和上金属层(50)。本发明利用无线传输特性提高了测量...; 李铁叶智玮周宏刘延祥陆仲明

用于在薄绝缘体上碳化硅(SiCOI)晶片上形成微带传输线的方法和结构: 一种提供半导体结构的方法，包括：提供结构，所述结构具有：所述结构具有：包括硅的层；结合结构；以及硅层，所述结合结构在所述包括硅的层与所述硅层之间设置，所述硅层比所述包括硅的层厚；以及，III‑V族层在所述包括硅的层的上表...; J·R·拉罗什K·P·叶T·E·卡齐奥

用于在薄绝缘体上碳化硅(SiCOI)晶片上形成微带传输线的方法和结构: 一种提供半导体结构的方法，包括：提供结构，所述结构具有：所述结构具有：包括硅的层；结合结构；以及硅层，所述结合结构在所述包括硅的层与所述硅层之间设置，所述硅层比所述包括硅的层厚；以及，III‑V族层在所述包括硅的层的上表...; J·R·拉罗什K·P·叶T·E·卡齐奥; 文献传递

SiCOI MESFET的特性分析: 2010年; 提出了一种新的器件结构-SiCOI结构,即硅衬底上外延SiC制造MESFET器件,并建立了SiCOIMESFET器件结构与模型。使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。同时,还对SiCOI MESFET器件的击穿特性进行了模拟。这些电学特性数据为进一步设计及优化SiCOI MESFET器件提供理论基础。; 王旸雷天民张智; 关键词：SICOI MESFET 结构参数

SiCOI器件结构的研究: 为了将SiC材料的优点和SOI技术优势有机结合,本文提出了一种新的SiCOI/(Silicon Carbide On Insulator/)结构,并利用二维器件模拟软件ISE-TCAD对器件的各种特性进行了模拟分析。 ...; 王旸; 关键词：电学特性阈值电压; 文献传递

一种SiCOI结构材料的制备方法: 本发明公开了一种SiCOI结构材料的制备方法，主要解决SiC外延层与SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底间粘附性差的问题。其过程是：首先对Si衬底进行标准清洗；再对清洗后的Si衬底进行干/湿/干热氧化，得到厚度至少为...; 杨银堂贾护军; 文献传递

一种新型介质槽隔离SiCOIMESFET: 2005年; 提出了一种新型的 Si COIMESFET器件结构 ,即介质槽隔离 Si COIMESFET。模拟结果表明 ,新型结构器件与常规平面 Si COI MESFET器件相比 ,击穿电压得到很大提高 ,从 3 80 V提高到近 1 1 0 0 V,而饱和漏电流和跨导下降。但通过器件结构的优化设计可以保障在击穿电压提高的同时漏电流和跨导不会发生大的退化。该器件结构为高温、抗辐照和大功率集成电路研制打下基础。; 龚欣张进城郝跃; 关键词：击穿电压

多台阶介质槽隔离的SiCOI MESFET器件: 2004年; 用二维器件仿真软件 MEDICI对 Si COI(Si C on insulator) MESFET的击穿特性进行了研究 ,提出了一种新的 Si COI MESFET器件介质槽隔离结构 ,即多台阶介质槽隔离结构 .研究结果表明 ,与单介质槽隔离 Si COI MES-FET相比 ,多台阶结构在保持高击穿电压的情况下 ,可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导 .多台阶介质槽隔离Si COI; 龚欣张进城郝跃; 关键词：SICOI MESFET 击穿电压

6H-SiCOI MESFET器件结构参数对其特性的影响: 2004年; 　采用二维器件仿真软件Medici,模拟分析了SiCOI(绝缘衬底上SiC)MESFET器件的结构参数,如有源层掺杂浓度、栅长和有源层厚度等,对器件特性(阈值电压和跨导)的影响。结果表明,其结构参数对器件特性有较大影响。同时,对所得结果从内部物理机制上进行了分析。; 龚欣张进城郝跃李培咸; 关键词：SICOI MESFET 结构参数

Optimization of Device Structure of SiCOI MESFET with Dielectric Groove Isolation: Optimization of groove width and groove depth of SiCOI MESFET with dielectric groove isolation is studied.Simu...; Gong Xin~* Zhang Jincheng Hao Yue Institute of Microelectronics

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龚欣: 作品数：19被引量：15H指数：2; 供职机构：西安电子科技大学; 研究主题：高介电常数金属膜蒸发 GAN SUB

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