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一种光耦正向电流传输比衰减趋势测试与建模方法
本发明提供了一种光耦正向电流传输比衰减趋势测试与建模方法，包括：步骤1：将被测光耦放置在温度老化箱中，设置温度；步骤2：记录一次光耦的输出电流，并计算正向电流传输比CTR；步骤3：建立正向电流传输比CTR与老化持续时间t...
汪绩宁徐冬苓王玉贵昌正科
硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法
本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法，本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区、氮化硅层和底层...
王波景媛媛向勇军
光耦电流传输比补偿
公开了一种具有次级侧控制器的反激式转换器，该次级侧控制器通过利用控制电压驱动可变电阻器来生成用于光耦二极管的输入电流。次级侧控制器改变可变电阻器的可变电阻，以补偿光耦的电流传输比增益变化。
李韬孔鹏举尹株永踪晴晴
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光电耦合器的电流传输比参数测试设计
2022年
光电耦合器作为一种光电隔离的器件,广泛应用于信号隔离电路、开关电路、以及电平匹配、负载接口、高压控制等单元电路中。本文介绍了光电耦合器的主要参数,分析了典型电流传输比测试方法的优劣,并设计了一种新型电流传输比测试方法。
刘杰
关键词：光耦合器
一种提升光耦电流传输比的辅助装置及方法
本发明提供了一种提升光耦电流传输比的辅助装置，包括：传感器，与光耦耦合器制造装备连接，所述传感器用来检测光源的出射方位；自动控制模块，与所述光耦耦合器制造装备连接，用于接收所述传感器的检测结果，并根据检测结果光源射出方向...
韩秀蒋杰
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光耦电流传输比补偿
公开了一种具有次级侧控制器的反激式转换器，该次级侧控制器通过利用控制电压驱动可变电阻器来生成用于光耦二极管的输入电流。次级侧控制器改变可变电阻器的可变电阻，以补偿光耦的电流传输比增益变化。
李韬孔鹏举尹株永踪晴晴
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高频变压器电压、电流传输比的精细化设计方法
本发明公开了一种高频变压器电压、电流传输比的精细化设计方法，所述方法包括：A、建立高频变压器的电压、电流传输函数，获得传输特性谐振特征；B、提出高频变压器传输比的设计约束；C、实现高频变压器传输比设计。本发明方法可以使高...
齐磊刘晨崔翔东野忠昊张科科刘婷婷康伟
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一种高电流传输比的光电耦合器
本实用新型涉及一种高电流传输比的光电耦合器。它包括壳体，壳体内设有第一支架、第二支架、第三支架以及第四支架，第三支架的内端设有聚光槽和led晶片，led晶片设于聚光槽内并位于光敏三极管晶片的上方，led晶片通过第二金线与...
何子杰
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硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法
本发明公开了一种硅基高电流传输比双达林顿晶体管及其制作方法，本发明的硅基高电流传输比双达林顿晶体管包括衬底层、N型硅外延层、二氧化硅钝化层、第一极基区、电极、第一级发射区、第二级基区、第二级发射区、集电区、氮化硅层和底层...
王波景媛媛向勇军
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长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法和制作方法
本发明公开了一种长爬电光电耦合器电流传输比中档率控制方法和制作方法，所述控制方法包括：根据光电耦合器的发光源的辐射通量进行分档获得第一分档值；根据光电耦合器的受光器的电流增益进行分档获得第二分档值；根据所述第一分档值和第...
冯雪瑞丁东民杨拓
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田浦延
作品数：8被引量：23H指数：3
供职机构：华南理工大学理学院应用物理系
研究主题：光电耦合器 电流传输比 SIO 发光二极管 绝缘距离
石颉
作品数：67被引量：135H指数：7
供职机构：苏州热工研究院有限公司
研究主题：熔断器 恒流源 核电站 熔断 接触电阻
董桂芳
作品数：108被引量：109H指数：7
供职机构：清华大学
研究主题：电极 有机电致发光 有机薄膜晶体管 聚焦离子束 驱动电路
李东
作品数：125被引量：22H指数：3
供职机构：深圳大学
研究主题：相机 图像 特征点 涡流检测 充电
陈蒲生
作品数：41被引量：61H指数：5
供职机构：华南理工大学理学院应用物理系
研究主题：SIO XN 介质膜 热氮化 PECVD法