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陈蒲生
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- 所属机构:华南理工大学理学院应用物理系
- 所在地区:广东省 广州市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 冯文修
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- 刘小阳
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- 2005年
- 研究了光电耦合器的结构设计,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了重要参数CTR和BV随绝缘距离的变化以及BV与封装尺寸的关系。分析了用于不同光传输结构光耦的内外封装胶特性,对几种不同的封装胶通过光谱测试实验讨论其成分与特性。
- 田浦延陈蒲生
- 关键词：光电耦合器电流传输比绝缘电压绝缘距离发光二极管
- 快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究被引量：3
- 1997年
- 用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰．当温度高于900℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰．基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理．
- 冯文修陈蒲生黄世平
- 关键词：二氧化硅热氮化氮分布
- 低温形成栅介质膜电特性的容-压法分析
- 1998年
- 采用准静态Ｃ－Ｖ特性和高频Ｃ－Ｖ特性测试技术，结合温偏（Ｂ－Ｔ）实验，测试了等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法低温制备的富氮的ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜的电学特性（界面态密度、固定电荷密度、介电常数、可动离子密度），结果表明，制备出的栅介质膜性质优良。
- 章晓文陈蒲生王锋
- 关键词：等离子体增强化学汽相沉积PECVD
- 富氮SiO_xN_y膜的电子注入特性被引量：1
- 2001年
- 通过施加直流电压于P型SiOxNy 薄膜 ,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变 .测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化 ,以研究薄膜的电子注入特性 ,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系 .结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构 ,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论 .
- 陈蒲生张昊冯文修田小峰刘小阳曾绍鸿
- 关键词：俄歇电子能谱红外光谱电学参数
- 低温PECVD法形成纳米级介质膜微观结构研究被引量：1
- 2004年
- 采用俄歇电子能谱 ( AES)和傅里叶红外光谱 ( FTIR)分析低温 PECVD法形成纳米级 Si Ox Ny 介质膜的微观组分结构及其与制膜工艺间关系 ,通过椭圆偏振技术测试该薄膜的物理光学性能。研究结果表明 :该介质膜中氮、氧等元素均匀分布 ,界面处元素含量变化激烈 ;高、低反应气压变化对膜内微观组分影响有异 ;该薄膜是既含有类似 Si3N4 、又含有类似 Si O2 的非晶状态 ,呈现无序网络结构 ;随着含氮量或含氧量的增多 ,该膜分别向Si3N4 或 Si O2 成分较多的结构转化 ;优化制膜工艺形成的富氮 Si Ox Ny 膜的性能与结构方面得到提高。
- 陈蒲生陈闽捷张昊刘小阳王锋
- 关键词：介质膜俄歇电子能谱傅里叶红外光谱电学性能
- 快速热氮化SiO_2膜陷阱特性的研究被引量：11
- 1990年
- 本文采用雪崩热电子注入技术研究了快速热氯化SiO_2膜和氮化后再氧化SiO_2膜的体电子陷阱和界面态特性。揭示出电子陷阱的起源和放电机理;观察并解释了界面态密度随氮化时间以及平带电压漂移随注入时间的变化关系;提出降低体电子陷阱密度和界面态密度的有效途径。
- 陈蒲生杨光有刘百勇
- 关键词：SIO2膜热氮化电子陷阱电子注入
- 氧退火对SiO_2/Si衬底BST薄膜特性的影响
- 2004年
- 利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。结果表明 ,氧退火条件对衬底的钛酸锶钡薄膜的物理及电学特性有较为明显的影响。
- 陈平黄美浅李观启李斌陈蒲生
- 关键词：钛酸锶钡薄膜物理特性电学特性介电常数
- 光电耦合器的结构设计及封装特点被引量：14
- 2002年
- 对光电耦合器的结构设计进行了研究,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了各自对应的支架结构和封装形式。同时研究了电流传输比(CTR)和绝缘电压(BV)随绝缘距离的影响关系,以及BV与封装尺寸的影响关系。
- 田浦延布良基陈蒲生冯文修
- 关键词：光电耦合器封装电流传输比绝缘距离发光二极管
- 电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释被引量：1
- 2001年
- 用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 F- N隧穿电流 .研究结果表明 :经 RTN Si O2 膜比原始 Si O2 膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象 .比较 RTN后两种不同晶向样品 ,低场漏电流没有多大的差别而在高场从〈10 0〉晶向比从〈111〉晶向 Si隧穿Si Ox Ny 膜的 F- N电流却明显增加 。
- 冯文修陈蒲生田浦延刘剑
- 关键词：电子隧穿二氧化碳
- 从n型硅到RTN超薄SiO_2膜的电流传输特性
- 2003年
- 用卤素钨灯作辐射热源 ,对超薄 (1 0nm )SiO2 膜进行快速热氮化 (RTN) ,制备了SiOxNy 超薄栅介质膜 ,并制作了Al/n Si/SiOxNy/Al结构电容样品 .研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2 膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化 .结果表明 :低场时的漏电流很小 ;进入隧穿电场时 ,I E曲线遵循Fowler Nordheim (F N)规律 ;在更高的电场时 ,主要出现两种情形 ,其一是I E曲线一直遵循F N规律直至介质膜发生击穿 ,其二是I E曲线下移 ,偏离F N关系 ,直至介质膜发生击穿 .研究表明 ,I E曲线随氮化时间增加而上移 .
- 冯文修张恒陈蒲生田浦延
- 关键词：电流传输特性
