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冯志红
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H指数:1
供职机构:
中国电子科技集团公司第十三研究所
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一般工业技术
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合作作者
梁士雄
中国电子科技集团公司第十三研究...
何泽召
中国电子科技集团第十三研究所
张立森
中国电子科技集团公司第十三研究...
蔚翠
中国电子科技集团公司第十三研究...
房玉龙
中国电子科技集团公司第十三研究...
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何泽召
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:金刚石 石墨烯 场效应晶体管 色心 衬底
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梁士雄
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:太赫兹 超材料 共振隧穿二极管 肖特基二极管 HEMT
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邢东
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:太赫兹 击穿电压 硫钝化 GAAS GAASMESFET
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蔚翠
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:金刚石 石墨烯 色心 场效应晶体管 衬底
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房玉龙
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 电极 倍频电路 肖特基二极管 肖特基接触
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刘庆彬
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:金刚石 石墨烯 色心 衬底 石墨烯材料
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张立森
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:太赫兹 共振隧穿二极管 MOCVD生长 高电流密度 峰谷电流比
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蔡树军
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:微波器件 GAN SIC_MESFET MMIC 氮化镓
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王俊龙
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:太赫兹 共振隧穿二极管 肖特基二极管 肖特基 小信号等效电路模型
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张雄文
供职机构:中国电子科技集团公司第十三研究所
研究主题:GAAS_MMIC SEM分析 迁移率 场效应晶体管 HFET
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