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12 条 记 录,以下是 1-10
夏建新
供职机构:电子科技大学
研究主题:GAN 表面态 电流崩塌 高电子迁移率晶体管 肖特基接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙同年
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 晶体生长 坩埚 INP VGF
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘二海
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周智慧
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:INP单晶 硫 磷 单晶材料 位错密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨光耀
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐永强
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董彦辉
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
研究主题:介电常数 INP单晶 硫 磷 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙聂枫
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周晓龙
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:磷化铟 INP单晶 单晶生长 掺杂 波函数
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢德良
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:INP单晶 硫 位错密度 单晶生长 磷化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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