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王英辉

作品数:33 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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相关领域:金属学及工艺电子电信理学文化科学更多>>

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地区

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尚海平
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:压力传感器 压阻 非制冷红外成像 平面阵列 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玮冰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:MEMS 自测试 红外光源 压阻 压阻传感器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 沟道 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐杨
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:键合 薄膜晶体管 点压 热压键合 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙业超
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:压阻 压力传感器 承压 SIC 边线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许维
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:键合 热压键合 点压 合法 晶圆片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘洪刚
供职机构:桂林电子科技大学
研究主题:沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 MEMS 沟道 焦平面阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈诚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:键合 固相 基片集成波导 联合仿真 小型化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赫然
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:互连结构 通孔 硅 半导体芯片 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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