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方攸同

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院科研装备研制项目中国博士后科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

领域

  • 5个化学工程
  • 5个电子电信
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  • 2个电气工程
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  • 1个水利工程
  • 1个农业科学

主题

  • 5个氮化
  • 5个氮化铝
  • 5个氮化镓
  • 5个等离子体增强
  • 5个氧化锌
  • 5个原位掺杂
  • 5个原子层沉积
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  • 4个氮化碳薄膜
  • 4个氮化镓薄膜
  • 4个氮气
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  • 4个等离子体辅助
  • 4个低温低压
  • 4个电池
  • 4个电离
  • 4个电特性
  • 4个氧化锌薄膜

机构

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  • 5个嘉兴科民电子...
  • 2个中国科学院
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  • 1个中国科学技术...

资助

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  • 5个中国博士后科...
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  • 5个中国科学院科...
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传媒

  • 5个半导体技术
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地区

  • 5个北京市
共 5 条 记 录，以下是 1-5
万军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS ALD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 半导体制造技术 基片 化学吸附 前驱体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
饶志鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 原子层沉积 化学吸附 含碳 含氮
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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