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周冠山

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 4个电子电信
  • 2个理学

主题

  • 4个退火
  • 4个热退火
  • 4个碲镉汞
  • 4个离子注入
  • 3个电路
  • 3个探测器
  • 3个锑化铟
  • 2个单晶
  • 2个单晶硅
  • 2个低剂量
  • 2个低剂量率
  • 2个电荷耦合
  • 2个电荷耦合器
  • 2个电荷耦合器件
  • 2个电离辐射效应
  • 2个电离辐照
  • 2个电路工艺
  • 2个钝化
  • 2个钝化膜
  • 2个多晶

机构

  • 3个西安电子科技...
  • 3个电子工业部
  • 2个西北电讯工程...
  • 1个电子科技大学
  • 1个华北光电技术...
  • 1个西安微电子技...

资助

  • 3个国家部委预研...
  • 2个国家自然科学...
  • 2个国家重点实验...

传媒

  • 4个物理学报
  • 3个西安电子科技...
  • 2个Journa...
  • 2个电子学报
  • 2个核技术
  • 2个微电子学
  • 2个微细加工技术
  • 2个电子科学学刊
  • 2个第六届全国电...
  • 1个微电子学与计...
  • 1个原子能科学技...
  • 1个固体电子学研...
  • 1个激光与红外
  • 1个电子元器件应...
  • 1个首届全国电子...
  • 1个第九届全国电...

地区

  • 3个陕西省
  • 1个北京市
共 4 条 记 录，以下是 1-4
应明炯
供职机构：华北光电技术研究所
研究主题：红外探测器 HGCDTE 焦平面 锑化铟 湿法刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘家璐
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张廷庆
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：离子注入 BF MOS器件 多晶硅栅 锑化铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯建华
供职机构：西安微电子技术研究所
研究主题：并行测试 IDDQ测试 DDQ 集成电路 互连
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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