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赵洪利

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
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合作作者

领域

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地区

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共 6 条 记 录，以下是 1-6
曾传滨
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：静电保护 集成电路 绝缘体上硅 埋氧层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘魁勇
供职机构：辽宁大学
研究主题：粲夸克偶素 SUB 正负电子湮灭 光电极 光电化学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗家俊
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 电路 集成电路 绝缘体上硅 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高林春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 静电保护 隔离区 接触区 漏电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：背栅 硅化物 绝缘体上硅 功率VDMOS器件 单粒子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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