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王文武
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405
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H指数:2
供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
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合作作者
李永亮
中国科学院微电子研究所
李俊杰
中国科学院微电子研究所
王晓磊
中国科学院微电子研究所
李俊峰
清华大学
殷华湘
清华大学
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李永亮
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 半导体 晶体管 源区
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李俊杰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 纳米线 电子设备
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王晓磊
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 界面层 阈值电压 金属栅 半导体结构
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李俊峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
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殷华湘
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
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罗军
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 金属硅化物 沟道 衬底 半导体
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马雪丽
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 阈值电压 沟道 介质层 半导体结构
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赵超
供职机构:清华大学
研究主题:半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
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杨红
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 金属栅 功函数 衬底 阈值电压
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高建峰
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:刻蚀 半导体器件 衬底 沟道 牺牲层
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