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宋爱民

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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地区

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共 9 条 记 录，以下是 1-9
郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李月霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：异质结 NC-SI 砷化镓 XGA H
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李承芳
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院
研究主题：YB PR 光子晶体 共掺 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 谐振器 纳米尺寸
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程文超
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氧化硅 光致发光 Δ掺杂 砷化镓 微结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘剑
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：模数转换器 太赫兹波 电容失配 图像 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王杏华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：器件物理 GAAS/ALGAAS 砷化镓 量子结构 半导体光电子学
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 砷化镓 自组织生长 砷化铟 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李国华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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