2024年8月23日
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赵凤瑷
作品数:
10
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H指数:2
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
王占国
中国科学院半导体研究所
张春玲
中国科学院半导体研究所
金鹏
中国科学院半导体研究所
焦春美
中国科学院半导体研究所
刘祥林
中国科学院半导体研究所
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王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 衬底 砷化镓 分子束外延
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张春玲
供职机构:南开大学物理学院
研究主题:物理奥林匹克竞赛 量子点 物理实验 过饱和 砷化铟
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刘祥林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 氮化物 GAN MOVPE MOCVD
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焦春美
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
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金鹏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 衬底 砷化铟 砷化镓
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魏宏源
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 杆状 光致发光
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范海波
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:协变 衬底 氧化锌薄膜 硅基 衬底材料
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杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
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董向芸
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 开关时间 生长温度
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张晓沛
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 不锈钢外壳 氧化锌薄膜 开关时间 生长温度
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