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姚振钰
作品数:
22
被引量:42
H指数:4
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家高技术研究发展计划
国家自然科学基金
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相关领域:
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合作作者
秦复光
中国科学院半导体研究所
刘志凯
中国科学院半导体研究所
杨少延
中国科学院半导体研究所
廖梅勇
中国科学院半导体研究所
柴春林
中国科学院半导体研究所
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秦复光
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅 FESI 低能离子束 PLD法 脉冲激光淀积
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刘志凯
供职机构:中国科学院
研究主题:低能离子束 离子束外延 超高真空 生长温度 低能离子
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杨少延
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 生长温度 氮化镓 非极性 协变
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柴春林
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:多层膜 超高真空 生长温度 离子束外延 低能离子
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廖梅勇
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:金刚石膜 SI薄膜 碳膜 PLD法 脉冲激光淀积
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林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
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王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
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贺洪波
供职机构:中国科学院上海光学精密机械研究所
研究主题:光学薄膜 激光损伤阈值 镀膜 激光损伤 夹具
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王向明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:低能离子束 FESI 半导体 外延膜 外延法
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所获资助
研究领域
张建辉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅 超薄 XRD SI衬底 SI
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