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陈宗圭

作品数:15 被引量:26H指数:4
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郑厚植
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 半导体 量子点 GAAS GA
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐仲英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS 量子点 INGAAS/GAAS 自组织生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕振东
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:自组织生长 砷化镓 砷化铟 INAS/GAAS 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
封松林
供职机构:中国科学院上海高等研究院
研究主题:相变存储器 相变材料 相变 电阻 存储器
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王志明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 砷化镓 自组织生长 砷化铟 INAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段晓峰
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:透射电子显微镜 电子能量损失谱 应变层超晶格 磁畴 电子全息
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王凤莲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:INAS量子点 自组织生长 砷化铟 砷化镓 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨小平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 超晶格 激子 砷化铝 自组织
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓元明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:自组织生长 砷化铟 量子点 微腔 INAS量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李树英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAAS 自组织生长 砷化镓 INGAAS/GAAS 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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