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钟兴华

作品数：13 被引量：3H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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主题

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机构

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  • 2个微电子技术
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地区

  • 13个北京市
共 13 条 记 录，以下是 1-10
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴峻峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 英文 NMOSFETS PDSOI BREAKDOWN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐秋霞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 半导体器件 刻蚀 沟道 堆叠
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨建军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：AR GATE BREAKDOWN SOI PARTIAL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李多力
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：埋氧层 SOI 绝缘体上硅 隔离区 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李俊峰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 衬底 沟道 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林钢
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SIO 叠层栅介质 N O MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵红旭
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 短沟道效应 热载流子效应 GATE 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周华杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：金属栅 鳍片 自顶向下 沟道效应 硅化
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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