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郑联喜

作品数:14 被引量:15H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
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王玉田
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 X射线双晶衍射 GAN X射线衍射 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨辉
供职机构:中国科学院地质与地球物理研究所
研究主题:氮化镓 GAN 欧姆接触电极 紫外探测器 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡雄伟
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:阵列波导光栅 波导 硅基二氧化硅 AWG 折射率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大鹏
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:立方相 MOCVD 砷化镓 氮化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构:中国科学院国家天文台
研究主题:FAST 反射面 射电望远镜 促动器 大射电望远镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙小玲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 MOCVD 立方相 砷化镓 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖智博
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:超晶格 大功率 MOCVD生长 MOCVD 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴荣汉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAAS 多量子阱 砷化镓 垂直腔面发射激光器 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李国华
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光致发光 静压 光致发光研究 超晶格 喇曼散射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王启明
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅基 硅 锗 半导体材料 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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