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骆志炯

作品数：332 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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共 19 条 记 录，以下是 1-10
朱慧珑
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 堆叠 衬底 电子设备
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹海洲
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 鳍片 栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁擎擎
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 半导体 沟道 半导体结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟汇才
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 介质层 栅极 衬底 侧墙
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘佳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氧化层 半导体器件 半导体结构 刻蚀 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王鹤飞
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：衬底 氧化层 半导体结构 刻蚀 晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 金属硅化物 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱正勇
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：沟道 电子设备 半导体器件 衬底 负电
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈率
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体 存储器阵列 穿通 半导体器件 沟槽隔离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋葳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 半导体结构 沟道 沟槽隔离 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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