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王湘
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33
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H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
国家杰出青年科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈静
中国科学院上海微系统与信息技术...
陈猛
中国科学院上海微系统与信息技术...
王曦
中国科学院上海微系统与信息技术...
董业民
中国科学院上海微系统与信息技术...
林梓鑫
中国科学院上海微系统与信息技术...
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王曦
供职机构:清华大学
研究主题:衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
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陈静
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:晶体管 浮体效应 SOI 阈值电压 存储器单元
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陈猛
供职机构:清华大学
研究主题:SOI 注氧隔离 高温退火 低剂量 硅
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供职机构
所获资助
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董业民
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI工艺 注氧隔离 抗辐射 场效应晶体管 绝缘体
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林梓鑫
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子注入 SOI 低剂量 硅 SIMOX
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易万兵
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI SIMOX 氧 氮 注氧隔离
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金波
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 注氧隔离 SIMON 氧 高温退火
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张继华
供职机构:电子科技大学
研究主题:射频磁控溅射 BST 铁电薄膜 介电性能 基片
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刘相华
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:SOI 离子注入 MOS器件 氧离子 EFFECTS
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郑志宏
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:离子束辅助沉积 铪 离子注入 离子束增强沉积 性能研究
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