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黄应龙

作品数：8 被引量：0H指数：0
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杨富华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：淀积 相变存储器 电极 纳米尺寸 相变材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王良臣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 发光二极管 共振隧穿二极管 RTD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：共振隧穿二极管 GAN 大功率 RTD 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白云霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：干法刻蚀 自对准 电子束曝光 可调谐光滤波器 可调谐滤波器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜磊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI基 可调谐光滤波器 可调谐滤波器 电极 DBR
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘伟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 单光子探测 超晶格 场效应晶体管 量子点
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑厚植
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 半导体 量子点 GA 自旋
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：RTD 高电子迁移率晶体管 共振隧穿二极管 PHEMT 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余洪敏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：乘法器 超前进位加法器 FPGA 可重构 英文
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